[發明專利]一種光刻裝置及曝光方法在審
| 申請號: | 202110067118.6 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN112835269A | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 李艷麗;伍強 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;尹一凡 |
| 地址: | 201800 上海市嘉定*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 裝置 曝光 方法 | ||
本發明公開了一種光刻裝置,包括對應分設于測量工位和曝光工位下方的兩個短程臺,所述兩個短程臺分別設于長程臺的兩端;通過所述長程臺的水平旋轉,實現兩個短程臺在所述測量工位和曝光工位之間的位置交換;所述長程臺上固定非接觸式電容傳感器的一端,所述非接觸式電容傳感器的另一端分別固定在所述短程臺上;根據非接觸式電容傳感器的電容值變化信息對短程臺進行位置調整,確保旋轉之后的短程臺與長程臺之間沒有發生偏移。本發明中光刻裝置可以確保旋轉之后的短程臺相對長程臺的位置無偏差。
技術領域
本發明屬于光刻設備領域,具體涉及一種光刻裝置及曝光方法。
背景技術
為了提高光刻處理的效率,在光刻機上對應于測量工位和曝光工位設置了兩個工件臺,每個工件臺上分別放置硅片,同時進行硅片的測量和曝光工序。其中,對測量工位上的硅片進行坐標對準和調平等處理,對曝光工位上的硅片掩模版進行對準以及曝光等處理。然后,交換兩個工件臺的位置,經過測量工序處理后的硅片隨著工件臺被交換到曝光工位上,進行曝光處理,而之前經過曝光工序處理后的硅片可以替換為新的硅片,在測量工位上進行測量工序的處理。
現有技術中,工件臺交換過程,通過設置在工件臺角部用于對準等用途的位置傳感器與工位進行對準,但是,由于該位置傳感器只有當工件臺基本到達工位對應區域時才能發揮作用,無法對工件臺的交換過程進行位置檢測,由于測量工位上的硅片已經完成了對準,若旋轉之后的工位出現水平偏移或者偏差,則無法滿足曝光條件下的對準要求,進而達不到特定的曝光效果。因此,有必要設計一種能夠精準控制雙工位控制臺旋轉的裝置和方法,當旋轉之后的工位發生偏移時,可以對工位的偏移進行補償。
發明內容
本發明的目的是提供一種光刻裝置及曝光方法,當旋轉之后的工位發生偏移時,可以對短程臺的偏移進行補償。
為了實現上述目的,本發明采用如下技術方案:.一種光刻裝置,包括對應分設于測量工位和曝光工位下方的兩個短程臺,所述兩個短程臺分別設于長程臺的兩端;通過所述長程臺的水平旋轉,實現兩個短程臺在所述測量工位和曝光工位之間的位置交換;所述長程臺上固定非接觸式電容傳感器的一端,所述非接觸式電容傳感器的另一端分別固定在所述短程臺上;根據非接觸式電容傳感器的電容值變化信息對短程臺進行位置調整,確保旋轉之后的短程臺與長程臺之間沒有發生偏移。
進一步的,所述非接觸式電容傳感器包括第一支架以及固定在與第一支架相對的短程臺上的第二磁鐵,所述第一支架固定在所述長程臺上,所述第二磁鐵的其中一個端面與所述第一支架相對設置,根據非接觸式電容傳感器的電容值變化信息確定短程臺端面與第一支架之間的相對距離。
進一步的,所述短程臺為長方體結構,且每個短程臺與所述長程臺之間分別安裝6個非接觸式電容傳感器;其中三個非接觸式電容傳感器中第二磁鐵位于所述短程臺的底部,另外三個非接觸式電容傳感器中第二磁鐵分別位于所述短程臺側面垂直的兩個面上。
進一步的,所述位于短程臺底部的三個非接觸式電容傳感器中第一支架固定在所述長程臺的上表面,且呈三角分布。
進一步的,所述第一支架包括第一磁鐵、第一U型彈簧片、絕緣介質層、電容器和夾板;
所述第一磁鐵與第二磁鐵相對設置,短程臺與第二磁鐵一起移動,所述第一磁鐵通過連線連接第一U型彈簧片,所述第一U型彈簧片靠近第一磁鐵的一端固定連接絕緣介質層;
所述電容器包括正極板和負極板,所述正極板和負極板在垂直方向上交叉排列,所述絕緣介質層平行于正極板和負極板,且部分位于相鄰的正極板和負極板之間;所述正極板和負極板連接至信號檢測單元;所述電容器被固定在夾板上;
當所述短程臺相對于長程臺移動時,所述第一磁鐵和第二磁鐵之間的作用力發生變化,所述第一磁鐵帶動連線和第一U型彈簧片的位置發生變化,所述第一U型彈簧片帶動所述絕緣介質層的位置發生變化,從而使得相鄰正極板和負極板之間被絕緣介質層覆蓋的面積發生變化,根據電容值變化信息計算所述短程臺相對于長程臺的移動位置。
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