[發明專利]半導體裝置用銅合金接合線

在審

• 申請號: 202110066731.6
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN112820708A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕
• 申請（專利權）人: 日鐵新材料股份有限公司;日鐵化學材料株式會社
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;C22C9/00;C22C9/04;C22C9/06
• 代理公司: 北京天達共和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11586
• 代理人: 張嵩;薛侖

1.一種半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

總計含有0.03質量％以上3質量％以下的選自Ni、Zn、Ga、Ge、Rh、In、Ir、Pt的至少1種以上的元素，其余部分由Cu和不可避免雜質構成。

2.如權利要求1所述的半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

當將線的線徑設為R(μm)時，上述銅合金接合線的垂直于線軸的方向的芯材截面中的平均結晶粒徑(μm)為：

0.02×R+0.4以上 (1a)

0.1×R+0.5以下 (1b)。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

線表面的氧化銅的平均膜厚為0.0005～0.02μm的范圍。

4.如權利要求1～3的任一項所述的半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

上述銅合金接合線進一步含有相對于線整體分別為0.0001～0.050質量％的選自Ti、B、P、Mg、Ca、La、As、Te、Se的至少1種以上的元素。

5.如權利要求1～4的任一項所述的半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

上述銅合金接合線進一步含有相對于線整體總計為0.0005～0.5質量％的選自Ag、Au的至少1種以上的元素。

6.如權利要求1～5的任一項所述的半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

上述銅合金接合線進一步含有1.15質量％以下的Pd。

7.如權利要求1～6的任一項所述的半導體裝置用銅合金接合線，其特征在于，

上述銅合金接合線含有2種以上的選自Ni、Zn、Ga、Ge、Rh、In、Ir、Pt的元素。