[發明專利]閃存芯片可靠性等級預測方法、裝置及存儲介質

在審

• 申請號: 202110066138.1
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112817525A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 陳卓;張浩明;潘玉茜;劉政林
• 申請（專利權）人: 置富科技（深圳）股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G11C29/56
• 代理公司: 北京中強智尚知識產權代理有限公司 11448
• 代理人: 黃耀威

本發明公開了一種閃存芯片可靠性等級預測方法、裝置及存儲介質。其中方法包括：對待預測閃存芯片進行閃存操作，并在閃存操作過程中采集待預測閃存芯片的至少一種特征量；對待預測閃存芯片的至少一種特征量進行運算操作，得到待預測閃存芯片的特征運算值，依據待預測閃存芯片的特征量和待預測閃存芯片的特征運算值，建構待預測閃存芯片的數據集合；將待預測閃存芯片的數據集合中的第一子集輸入到第一閃存可靠性等級預測模型的優化程序中，并對第一閃存可靠性等級預測模型進行參數調整，得到第二閃存可靠性等級預測模型；將待預測閃存芯片數據集合中的第二子集輸入到第二閃存可靠性等級預測模型中，得到待預測閃存芯片的可靠性等級的第一預測結果。上述方法可以提高閃存芯片可靠性等級的預測準確度。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其是涉及一種閃存芯片可靠性等級預測方法、裝置、存儲介質及計算機設備。

背景技術

存儲器作為數據存儲的載體，早已出現在現代電子產品的各個角落，并成為電子系統中不可或缺的一部分。在存儲器領域，閃存扮演著十分重要的角色。閃存是一種非易失性存儲器，在許多方面有其獨特的優點，如：能長時間保存數據、數據傳輸速度快、存儲容量較大等等。因此，閃存在通信、消費、工業控制、軍事等領域出現的頻率越來越高，也越來越受到重視。

但閃存也有其不可忽視的缺點。其中，可靠性問題便是閃存最主要的問題之一。閃存因為其獨特的物理結構，導致其在使用過程中，存儲單元的氧化層結構會遭受到磨損，這種磨損是不可逆的，一旦磨損程度超過一定限度，就會在數據存儲過程中，出現數據比特錯誤，閃存運行時產生的這種無法糾正的數據錯誤將會影響到整個存儲系統的正常使用。因此，在存儲系統中，往往會加入糾錯算法，來糾正因可靠性問題導致的數據比特錯誤。但是，糾錯算法存在錯誤上限，一旦閃存存儲塊內發生磨損的存儲單元數量超過一定限度，糾錯算法就會無法完全糾錯，即糾錯后的數據仍將出現比特錯誤。這種情況的發生將會嚴重地危害通信、消費、工業控制、軍事等領域的信息安全，甚至造成不可估計的損失。

基于以上的原因，目前就出現了一些預測閃存可靠性等級的方法，通過這些方法，可以使用戶了解閃存內部的損耗情況，并及時做出存儲策略調整，從而延長閃存的使用壽命，以及避免因存儲器中突發性的閃存數據錯誤增加而導致的損失。但是，由于閃存芯片之間存在一定差異，這就導致了閃存芯片可靠性等級預測難以達到較高的準確度。因此，如何提高閃存芯片可靠性等級預測的準確度，成為目前亟需解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本申請提供了一種閃存芯片可靠性等級預測方法、裝置、存儲介質及計算機設備，主要目的在于解決現有閃存芯片可靠性等級預測方法的預測準確度較差的技術問題。

根據本發明的第一個方面，提供了一種閃存芯片可靠性等級預測方法，該方法包括：

對待預測閃存芯片進行閃存操作，并在閃存操作過程中采集待預測閃存芯片的至少一種特征量；

對待預測閃存芯片的至少一種特征量進行運算操作，得到待預測閃存芯片的特征運算值，依據待預測閃存芯片的特征量和待預測閃存芯片的特征運算值，建構待預測閃存芯片的數據集合；

將待預測閃存芯片的數據集合中的第一子集輸入到第一閃存可靠性等級預測模型的優化程序中，并對第一閃存可靠性等級預測模型進行參數調整，得到第二閃存可靠性等級預測模型；

將待預測閃存芯片數據集合中的第二子集輸入到第二閃存可靠性等級預測模型中，得到待預測閃存芯片的可靠性等級的第一預測結果。