[發明專利]一種中性去溢料電解液及其制備工藝、使用方法

在審

• 申請號: 202110065946.6
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112899765A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 關美英;關雯;關劍英
• 申請（專利權）人: 池州市鼎弘半導體科技有限公司
• 主分類號: C25F1/04
• 分類號: C25F1/04;C25F3/12
• 代理公司: 東莞市卓越超群知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44462
• 代理人: 陳美霞

本發明提供一種中性去溢料電解液及其制備工藝、使用方法；本發明的中性去溢料電解液的溶液酸堿度通過PH調節劑調節至中性，有機物組分含量低，去離子水含量高，可以確保在有效去除溢料的前提下，可以有效避免塑封體和金屬框架或基體的損傷，以及產品內部分層的問題。同時避免了現有技術中因強堿性溶液在使用時接觸工作人員皮膚而造成燒傷工作人員，以及對工廠發生火災隱患，以及需要大量酸性物質中和等技術問題發生，并且也不會污染周圍的環境，因此，可以達到安全，環保節能，降低使用成本的效果，本申請也不會對被加工I C引腳造成分層以及在電鍍時不會腐蝕I C芯片，所以達到避免芯片線路在塑封后被腐蝕的現象發生。

技術領域

本發明涉及集成電路封裝領域，尤指一種中性去溢料電解液及其制備工藝、使用方法。

背景技術

隨著國內IC設計和芯片制造的規模不斷擴大，內地崛起的半導體晶圓代工產業的發展，對后段制造的拉動效應已經開始顯現，中國半導體封裝測試行業在近幾年也同樣保持了穩定快速發展的勢頭。

半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。常用封裝方式有：使用金屬引線框架和使用樹脂基板印刷線路為芯片載體的封裝。根據資料顯示，目前半導體IC的封裝，環氧樹脂密封約達90％。

在環氧樹脂封裝過程中，由于塑封模具加工精度的偏差、模具在使用過程中的磨損、金屬框架的厚薄尺寸差異、塑封料質量的好壞等條件的制約，在塑封工藝過程中不可避免會產生溢料。由于上述原因，塑封料溢出到半導體器件的引腳或金屬散熱面上，覆蓋或包裹引腳和散熱面上。

溢出的塑封料不但影響了產品的外觀還影響了產品的可焊性和散熱性的功能。因此，如何去除溢料就成為一個關鍵性問題。

溢料主要包括三部分：未完全固化的環氧樹脂、脫模劑、金屬氧化物以及固化的環氧膜塑料。

現有技術中去除溢料的方法一般分為三種：機械噴砂法、化學浸泡法以及電解法。其中，機械噴砂法容易使得塑封體表面受損，比較少使用；化學浸泡法對環境影響較大；與前兩者相比，電解法更環保和高效。但現有技術中電解法的又存在以下問題：

(1)行業在用的去除溢料液普遍采用氫氧化鈉或氫氧化鉀為主要材料，含量達到100-200g/L(以氫氧化鈉計)，pH通常大于13，由于堿度過高，時有腐蝕塑封體、塑封體發白等現象。

(2)堿度過高，在電流的作用下，使金屬框架與塑封體之間因析出氫氣過大，造成金屬框架與塑封料剝離，形成產品分層現象。

(3)一旦產品出現分層，堿性藥水就進入產品內部，從而腐蝕了芯片線路，造成產品報廢。這種現象對高端產品的封裝尤其明顯；

(4)堿度過高，在使用過程中濺出、接觸，會腐蝕、燒傷人體皮膚。堿度過高，使用后的槽液不可以直排，需要用大量的酸性物質來中和，不但增加了制造成本還影響環保。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種中性去溢料電解液及其制備工藝、使用方法，具有安全，環保節能，降低使用成本的效果，而且可以避免芯片線路在塑封后被腐蝕的現象發生。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：一種中性去溢料電解液，包括PH值為7的電解液，其中該電解液包括無機鹽、有機胺、有機溶劑、表面活性劑、離子絡合劑、PH調節劑、去離子水；其各組分質量百分比為：無機鹽1％-10％、有機胺1％-10％、有機溶劑1％-10％的、表面活性劑0.1％-1％、離子絡合劑0.1％-1％、PH調節劑1％-10％，其余為去離子水。

進一步，所述無機鹽包括磷酸鈉、磷酸鉀、焦磷酸鈉、焦磷酸鉀、檸檬酸鈉、檸檬酸鉀中的一種或多種。

進一步，有機胺包括一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺中的一種或多種。