[發(fā)明專利]用于減小層壓結(jié)構(gòu)中的弓形彎曲的不對(duì)稱處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110065557.3
• 申請(qǐng)日: 2016-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112776425B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹姆斯·格雷戈里·庫(kù)伊拉德;邁克爾·阿倫·麥克唐納;保羅·喬治·里克爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 康寧公司
• 主分類號(hào): B32B7/027
• 分類號(hào): B32B7/027;B32B17/10;B32B15/18;B32B18/00;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/082;B32B27/30;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/00;B32B37/14
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);吳啟超

1.一種用于制作層壓結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在第一基板與第二基板之間定位中間層以形成堆疊；

加熱所述堆疊至第一平均層壓溫度以形成層壓結(jié)構(gòu)；和

將所述層壓結(jié)構(gòu)冷卻至第二平均溫度；其中所述第二基板的熱膨脹系數(shù)大于所述第一基板的熱膨脹系數(shù)；并且

其中加熱所述堆疊包括以快于所述第二基板的第二加熱速率的第一加熱速率差別地加熱所述第一基板，或者其中冷卻所述層壓結(jié)構(gòu)包括以慢于所述第二基板的第二冷卻速率的第一冷卻速率差別地冷卻所述第一基板。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中加熱所述堆疊還包括將所述第一基板保持在第一層壓溫度下并且將所述第二基板保持在第二層壓溫度下，其中所述第二層壓溫度小于所述第一層壓溫度。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一層壓溫度比所述第二層壓溫度大至少20℃。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一加熱速率比所述第二加熱速率大至少30％，或者所述第二冷卻速率比所述第一冷卻速率大至少30％。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二基板的所述熱膨脹系數(shù)比所述第一基板的所述熱膨脹系數(shù)大至少30％。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述層壓結(jié)構(gòu)在-20℃至90℃范圍的溫度下的最小曲率半徑比所述層壓結(jié)構(gòu)的最大尺寸大至少40倍。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述層壓結(jié)構(gòu)的面外偏轉(zhuǎn)小于所述層壓結(jié)構(gòu)的厚度的兩倍。

8.一種利用如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的方法制成的層壓結(jié)構(gòu)，所述層壓結(jié)構(gòu)包括第一玻璃基板、第二玻璃基板以及附接所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的中間層，

其中所述第二玻璃基板是鈉鈣玻璃，并且所述第二玻璃基板的熱膨脹系數(shù)比所述第一玻璃基板的熱膨脹系數(shù)大至少30％；并且

其中所述層壓結(jié)構(gòu)的面外偏轉(zhuǎn)小于所述層壓結(jié)構(gòu)的厚度的兩倍。