[發明專利]顯示基板及顯示基板制備方法在審
| 申請號: | 202110065227.4 | 申請日: | 2021-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN112820741A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 李偉華;李陽;廖光東;朱成武;劉洋;孫劍秋 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 制備 方法 | ||
本發明公開了一種顯示基板及顯示基板制備方法,顯示基板具有孔區、隔斷區和顯示區,隔斷區至少部分圍繞孔區設置,隔斷區位于孔區和顯示區之間,顯示基板包括:陣列基板,陣列基板包括基底、像素電路以及覆蓋于像素電路上的平坦化層;器件層,設于顯示區的平坦化層背向基底的一側,器件層包括陽極層和位于陽極層與平坦化層之間的連接膜層;隔斷部,設于隔斷區;連接膜層包括第一連接段和第二連接段,陽極層與像素電路通過第一連接段相互電連接,隔斷部包括設置于平坦化層背向基底的一側的第二連接段。采用連接膜層的第二連接段作為隔斷部,不需要對基底進行多次刻蝕,工藝簡單,有效減低了生產成本。
技術領域
本發明屬于電子產品技術領域,尤其涉及一種顯示基板及顯示基板制備方法。
背景技術
隨著電子設備的快速發展,用戶對屏占比的要求越來越高,使得電子設備的全面屏受到業界越來越多的關注。為了提高屏幕占有率,現有技術中在顯示屏上用激光打一個相對大小的孔,適用于手機的攝像頭,但是水汽容易從孔侵入顯示基板內部,損壞顯示屏。實際中需要在開孔周圍通過刻蝕工藝形成隔斷來隔斷水汽,當現有的隔斷形成工藝復雜,工藝流程多,生產成本高。
因此,亟需一種新的顯示基板及顯示基板制備方法。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示基板及顯示基板制備方法,采用連接膜層的第二連接段作為隔斷部,且隔斷部設置在平坦化層上,不需要對基底進行多次刻蝕,工藝簡單,有效減低了生產成本。
本發明實施例一方面提供了一種顯示基板,具有孔區、隔斷區和顯示區,所述隔斷區至少部分圍繞所述孔區設置,所述隔斷區位于所述孔區和所述顯示區之間,所述顯示基板包括:陣列基板,所述陣列基板包括基底、像素電路以及覆蓋于所述像素電路上的平坦化層;器件層,設于所述顯示區的所述平坦化層背向所述基底的一側,所述器件層包括陽極層和位于所述陽極層與所述平坦化層之間的連接膜層;隔斷部,設于所述隔斷區;其中,所述連接膜層包括第一連接段和第二連接段,所述陽極層與所述像素電路通過所述第一連接段相互電連接,所述隔斷部包括設置于所述平坦化層背向所述基底的一側的所述第二連接段。
根據本發明的一個方面,所述連接膜層為單層金屬層結構;或者,所述連接膜層包括層疊設置的第一子金屬層、第二子金屬層和第三子金屬層,其中所述第一子金屬層和所述第三子金屬層均為耐刻蝕層,所述第二子金屬層為刻蝕層;優選的,所述第一子金屬層為Ti層,所述第二子金屬層為Al層,所述第三子金屬層為Ti層。
根據本發明的一個方面,所述陽極層和所述陣列基板之間設有過孔連接層,所述過孔連接層設有過孔,所述第一連接段設于所述過孔。
根據本發明的一個方面,各個所述隔斷部之間以及所述隔斷部和所述器件層之間間隔設置,在所述間隔內設有至少部分貫穿所述平坦化層的凹陷部。
根據本發明的一個方面,所述凹陷部在所述平坦化層上的正投影和所述隔斷部在所述平坦化層上的正投影至少部分重合;優選的,所述凹陷部具有朝向所述隔斷部的平滑曲面。
根據本發明的一個方面,還包括像素界定層,所述像素界定層至少部分覆蓋于所述陽極層,且所述像素界定層上間隔設置有支撐柱。
本發明實施例另一方面還提供了一種顯示基板制備方法,包括以下步驟:提供陣列基板,所述陣列基板包括基底、像素電路以及覆蓋于所述像素電路上的平坦化層;同步形成連接膜層的第一連接段和第二連接段于所述平坦化層的背離所述像素電路一側,所述第一連接段形成于顯示基板的顯示區,所述第二連接段形成于所述顯示基板的隔斷區,所述第二連接段用作隔斷部;形成器件層于所述第一連接段背離所述陣列基板一側,所述器件層包括和所述第一連接段電連接的陽極層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





