[發明專利]用于電子束曝光的芯片內嵌復合物及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 202110064658.9
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112820637B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 張昭宇;黃要然;劉歌行;李浩川
• 申請（專利權）人: 香港中文大學（深圳）
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種用于電子束曝光的芯片內嵌復合物的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一復合結構，其中，所述復合結構包括第一基底、設置在所述第一基底表面的導電層和設置在所述導電層的背離所述第一基底的表面上的芯片陣列；

在所述芯片陣列的外表面鋪設保護層，所述保護層覆蓋所述芯片陣列；所述保護層選自表面平整的軟膜層或硬基底復合物；

采用聚合物溶液對所述復合結構和所述保護層進行封裝固化處理；采用聚合物溶液對所述復合結構和保護層進行封裝固化處理的步驟中，包括：對所述復合結構和保護層施加壓力，加入聚合物溶液填充后，進行封裝固化處理，其中，所述壓力為10~40 N；

除去所述保護層，得到芯片內嵌復合物。

2.根據權利要求1所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物的制備方法，其特征在于，所述硬基底復合物包括第二基底和連接層，且沿所述導電層至所述芯片陣列的延伸方向，所述連接層和所述第二基底依次層疊，且所述連接層覆蓋所述芯片陣列。

3.根據權利要求1所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物的制備方法，其特征在于，所述聚合物溶液的材料選自聚二甲基硅氧烷、苯并環丁烯、環氧樹脂、二甲基硅氧烷，環甲基硅氧烷，氨基硅氧烷，聚甲基苯基硅氧烷，聚醚聚硅氧烷共聚物中的至少一種。

4.根據權利要求1~3任一所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物的制備方法，其特征在于，除去所述保護層的步驟中，包括：對所述保護層進行切割去除，并采用有機溶劑進行清洗。

5.根據權利要求1~3任一所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物的制備方法，其特征在于，所述芯片的大小為（2~3）mm×（4~5）mm。

6.一種由權利要求1~5任一所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物的制備方法制備得到的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物，其特征在于，所述芯片內嵌復合物包括第一基底，設置在所述第一基底表面的導電層，設置在所述導電層的背離所述第一基底的芯片內嵌層，且所述芯片內嵌層包括與所述導電層接觸的芯片陣列以及分布在芯片陣列之間的內嵌層。

7.根據權利要求6所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物，其特征在于，所述內嵌層比所述芯片陣列的厚度≤15微米。

8.權利要求6或7所述的用于電子束曝光的芯片內嵌復合物在電子束曝光設計集成電路中的應用。