[發(fā)明專(zhuān)利]一種高電子遷移率晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110064654.0
• 申請(qǐng)日: 2021-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112750895A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王中旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 陜西君普新航科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/20;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括：

襯底層；

緩沖層，所述緩沖層位于所述襯底層上；

勢(shì)壘層，所述勢(shì)壘層位于所述緩沖層上，所述勢(shì)壘層具有N面；

溝道層，所述溝道層位于所述勢(shì)壘層上，所述溝道層具有N面；

源極、柵極、漏極，所述源極、所述漏極、所述柵極均位于所述溝道層上，且所述柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述源極、所述漏極與所述溝道層之間為歐姆接觸，所述柵極與所述溝道層之間為肖特基接觸；

第一鈍化層，所述第一鈍化層位于所述溝道層上，且所述第一鈍化層還位于所述源極和所述柵極之間；

第二鈍化層，所述第二鈍化層位于所述溝道層上，且所述第二鈍化層還位于所述漏極和所述柵極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述襯底層的材料為藍(lán)寶石、SiC、Si和GaN中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述緩沖層的材料為GaN、AlN、AlGaN和InGaN中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述勢(shì)壘層的材料為N面ScAlN，所述溝道層為N面GaN。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述勢(shì)壘層的晶向?yàn)镹面所述溝道層的晶向?yàn)镹面

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述勢(shì)壘層中的Sc組分范圍為0-55％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極的材料均為T(mén)i/Al/Ni/Au或者Ti/Al/Pt/Au。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述柵極的材料為Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au中的任意一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的材料為SiN、Al₂O₃、AlN中的任意一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，還包括插入層，所述插入層位于所述勢(shì)壘層與溝道層之間。