[發明專利]一種可組合式的三維多芯片封裝結構

有效

• 申請號: 202110064002.7
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112864147B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發明（設計）人: 朱浩慎;陳智睿;馮文杰;薛泉
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/538;H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22
• 代理公司: 北京中睿智恒知識產權代理事務所(普通合伙) 16025
• 代理人: 鄧大為

1.一種可組合式的三維多芯片封裝結構，其特征在于，包括層疊設置的上轉接板(11)和下轉接板(13)；上轉接板(11)和下轉接板(13)之間留有間隙；

所述的上轉接板(11)靠近下轉接板(13)的側面設有上再布線層(12)；上轉接板(11)上端面設有電磁屏蔽層(15)，上再布線層(12)中部向上轉接板(11)內延伸后設置第一芯片(21)；上轉接板(11)靠近邊緣位置設有垂直貫通的Via，在第一芯片(21)底部設置若干Via連通上再布線層(12)下端面；所述的電磁屏蔽層(15)通過任一Via下引接地，用于將其下方的所有芯片與實際應用中位于其上方的天線輻射進行電性隔離；

所述的下轉接板(13)靠近上轉接板(11)的側面設有下再布線層(14)；下再布線層(14)靠近下轉接板(13)邊緣的部分向下轉接板(13)內部凹陷，分別設置第二芯片(22)和第三芯片(23)，使第二芯片(22)和第三芯片(23)均與所述第一芯片(21)在垂直方向上錯開；下轉接板(13)設有若干Via分別通過焊球對應連通上轉接板(11)的所有Via；

所述第一芯片(21)的邊緣部分，與所述第二芯片(22)和所述第三芯片(23)的邊緣部分略有重疊，但中心有源區保持非重合狀態；

所述的第一芯片(21)利用金屬互連通過任一Via與第二芯片(22)和第三芯片(23)電性連接；

上再布線層(12)和/或下再布線層(14)內分別設有無源器件；所述的下轉接板(13)在第二芯片(22)和第三芯片(23)的下方鏤空后用熱沉(33)封裝；所述的下轉接板(13)在下表面設有凹槽，位于下轉接板(13)的焊球均設置在凹槽內；

所述的第一芯片(21)是硅基芯片，第二芯片(22)和第三芯片(23)是GaN或GaAs射頻芯片。

2.根據權利要求1所述可組合式的三維多芯片封裝結構，其特征在于，下轉接板(13)靠近邊緣位置設有從下再布線層(14)垂直延伸至下端面的Via。

3.根據權利要求1所述可組合式的三維多芯片封裝結構，其特征在于，所述的無源器件是電阻、電感、電容中任意一種或任意組合。

4.根據權利要求1-3任一所述可組合式的三維多芯片封裝結構，其特征在于，各Via是TSV或TGV。