[發明專利]一種雙層分裂式光柵結構的硅基薄膜太陽能電池

有效

• 申請號: 202110063288.7
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112909104B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 鄭紅梅;于迎春;陳科;吳勝;鄭念紅;田文立;劉志杰
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/0445
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 盧敏

1.一種雙層分裂式光柵結構的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述硅基薄膜太陽能電池包括Ag基底層，在所述Ag基底層上逐層設置有AZO鈍化層、下光柵層、硅吸收層、上光柵層和AZO抗反射層；

所述下光柵層和所述上光柵層分別包括至少一個光柵周期；所述光柵周期是由Si條和AZO條沿著硅基薄膜太陽能電池寬度方向依次交替排列構成；

所述上光柵層中，一個光柵周期內Si條和AZO條的總條數為2N+1；從左到右的N條中，各條寬度為w_-n＝Q×(1-a)(a+b-1)^n-1，n依次取從1到N的正整數；從右到左的N條中，各條寬度為w_+n＝Q×(1-b)(a+b-1)^n-1，n依次取從1到N的正整數；最中間一條的寬度為d_u＝Q×(a+b-1)^N；

所述下光柵層中，一個光柵周期內Si條和AZO條的總條數為2N+1；從左到右的N條中，各條寬度為t_-n＝Q×(1-c)(c+d-1)^n-1，n依次取從1到N的正整數；從右到左的N條中，各條寬度為t_+n＝Q×(1-d)(c+d-1)^n-1，n依次取從1到N的正整數；最中間一條的寬度為d_d＝Q×(c+d-1)^N；

其中：N代表上、下光柵層的分裂級數，N取正整數；Q為一個光柵周期的寬度；a、b、c、d為分裂因子，取值在0.5～1范圍內。

2.根據權利要求1所述的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述Ag基底層厚度為200nm，所述AZO鈍化層厚度為50nm、所述下光柵層的厚度為100nm、所述硅吸收層的厚度為400nm、所述上光柵層的厚度為100nm，所述AZO抗反射層的厚度為60nm。

3.根據權利要求1所述的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：Q取500nm，N＝3。