[發明專利]數據搬移方法、相關裝置、以及計算機存儲介質在審
| 申請號: | 202110063199.2 | 申請日: | 2021-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN112764678A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 何佳 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京恒博知識產權代理有限公司 11528 | 代理人: | 范勝祥 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據 搬移 方法 相關 裝置 以及 計算機 存儲 介質 | ||
本申請公開了一種數據搬移方法、相關裝置、以及存儲器,其中,該方法包括:接收數據寫入指令,向第一存儲單元寫入數據;在第一存儲單元中存儲的數據容量達到第一容量閾值的情況下,將第一存儲單元中的數據向第二存儲單元搬移;在第一存儲單元中存儲的數據容量釋放到第二容量閾值的情況下,停止向第二存儲單元搬移數據。由此,本申請實施例通過在存儲器中設置兩個存儲單元、以及對第一存儲單元設置兩種閾值的方式,有效解決了使用大容量存儲器時可能存在的電子設備卡頓、死機等現象。
技術領域
本申請涉及數據處理領域,尤其涉及一種數據搬移方法、相關裝置、以及計算機存儲介質。
背景技術
隨著智能手機普及和移動網絡的高速化,智能手機等電子設備已經成為生活中必不可少的物品。電子設備中的存儲器用于存儲如照片、文檔、個人重要信息等數據。隨著用戶的存儲需求越來越大,存儲器的容量要求也越來越大。
目前,大部分電子設備采用的是大容量的三層存儲單元(Trinary-Level Cell,TLC)存儲技術,當電子設備處于連續重載寫入場景下時,由于TLC的本征讀寫速度較慢,很容易導致電子設備出現卡頓、死機等問題,嚴重影響了用戶的使用體驗。
發明內容
本申請實施例提供了一種數據搬移方法、相關裝置、以及存儲器。
第一方面,本申請實施例提供了一種數據搬移方法,所述數據搬移方法用于存儲器,所述存儲器包括第一存儲單元及第二存儲單元,其中,所述第二存儲單元的容量大于所述第一存儲單元的容量,所述方法包括:
接收數據寫入指令,向所述第一存儲單元寫入數據;
在所述第一存儲單元中存儲的數據容量達到第一容量閾值的情況下,將所述第一存儲單元中的數據向所述第二存儲單元搬移;
在所述第一存儲單元中存儲的數據容量釋放到第二容量閾值的情況下,停止向所述第二存儲單元搬移數據;其中,所述第一容量閾值大于所述第二容量閾值。
第二方面,本申請實施例提供了一種數據搬移裝置,所述存儲器包括第一存儲單元及第二存儲單元,其中,所述第二存儲單元的容量大于所述第一存儲單元的容量,其特征在于,所述裝置包括:
寫入模塊,用于接收數據寫入指令,向所述第一存儲單元寫入數據;
搬移模塊,用于在所述第一存儲單元中存儲的數據容量達到第一容量閾值的情況下,將所述第一存儲單元中的數據向所述第二存儲單元搬移;
停止模塊,用于在所述第一存儲單元中存儲的數據容量釋放到第二容量閾值的情況下,停止向所述第二存儲單元搬移數據;其中,所述第一容量閾值大于所述第二容量閾值。
第三方面,本申請實施例提供了一種存儲器,所述存儲器包括第一存儲單元及第二存儲單元,其中,所述第二存儲單元的容量大于所述第一存儲單元的容量,所述第一存儲單元包括:第一容量閾值和第二容量閾值;其中,所述第一容量閾值大于所述第二容量閾值;
所述第一容量閾值,用于在所述第一存儲單元中存儲的數據容量達到所述第一容量閾值的情況下,將所述第一存儲單元中的數據向所述第二存儲單元搬移;
所述第二容量閾值,用于在所述第一存儲單元中存儲的數據容量釋放到所述第二容量閾值的情況下,停止向所述第二存儲單元搬移數據。
第四方面,本申請實施例提供一種計算機存儲介質,所述計算機存儲介質存儲有多條指令,所述指令適于由處理器加載并執行上述的方法步驟。
第五方面,本申請實施例提供一種電子設備,可包括:處理器和存儲器;
其中,所述存儲器存儲有計算機程序,所述計算機程序適于由所述處理器加載并執行上述的方法步驟。
本申請一些實施例提供的技術方案帶來的有益效果至少包括:
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