[發明專利]三維存儲器件及其形成方法有效
| 申請號： | 202110061900.7 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112670299B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | 朱宏斌 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H10B43/20 | 分類號： | H10B43/20;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人： | 張文錦;劉茹 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 存儲 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一種三維存儲器件，包括：
襯底；
所述襯底上方的第一柵電極；
所述第一柵電極上的第一阻隔層；
所述第一阻隔層上的多個第一電荷捕獲層，其中，所述多個第一電荷捕獲層是分立的并且設置在不同的層級處；
所述多個第一電荷捕獲層上的第一隧穿層；
所述第一隧穿層上的多個第一溝道層，其中，所述多個第一溝道層是分立的并且設置在不同的層級處，并且每個所述第一溝道層對應于所述第一電荷捕獲層中相應的一個；
所述第一溝道層上的堆棧間電介質層；
所述堆棧間電介質層上方的第二柵電極；
所述第二柵電極上的第二阻隔層；
所述第二阻隔層上的多個第二電荷捕獲層，其中，所述多個第二電荷捕獲層是分立的并且設置在不同的層級處；
所述多個第二電荷捕獲層上的第二隧穿層；
所述第二隧穿層上的多個第二溝道層，其中，所述多個第二溝道層是分立的并且設置在不同的層級處，并且每個所述第二溝道層對應于所述第二電荷捕獲層中相應的一個。
2.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極具有倒“T”形。
3.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極具有雙面階梯形。
4.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其中，所述堆棧間電介質層的頂表面標稱上是平坦的。
5.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其中，所述堆棧間電介質層的頂表面適配所述第一柵電極的頂表面，并且所述第二柵電極的頂表面適配所述堆棧間電介質層的頂表面。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的三維存儲器件，其中，所述第一阻隔層和所述第二阻隔層是連續的并且分別至少沿著所述第一柵電極和所述第二柵電極的頂表面設置。
7.根據權利要求1-5中任一項所述的三維存儲器件，其中，所述第一隧穿層和所述第二隧穿層是連續的并且分別至少沿著每個所述第一電荷捕獲層和所述第二電荷捕獲層的頂表面設置。
8.根據權利要求1-5中任一項所述的三維存儲器件，其中，所述第一阻隔層和所述第二阻隔層包括氧化硅，所述第一電荷捕獲層和所述第二電荷捕獲層包括氮化硅，并且所述第一隧穿層和所述第二隧穿層包括氧化硅。
9.根據權利要求1-5中任一項所述的三維存儲器件，其中，所述多個第一溝道層和所述多個第二溝道層包括多晶硅。
10.一種三維存儲器件，包括：
襯底；
所述襯底上方的第一柵電極；
所述第一柵電極上的第一阻隔層；
所述第一阻隔層上的多個第一電荷捕獲層，其中，所述多個第一電荷捕獲層是分立的并且設置在不同的層級處；
所述多個第一電荷捕獲層上的第一隧穿層；
所述第一隧穿層上的第一溝道層；
所述第一溝道層上的堆棧間電介質層；
所述堆棧間電介質層上方的第二柵電極；
所述第二柵電極上的第二阻隔層；
所述第二阻隔層上的多個第二電荷捕獲層，其中，所述多個第二電荷捕獲層是分立的并且設置在不同的層級處；
所述多個第二電荷捕獲層上的第二隧穿層；以及
所述第二隧穿層上的第二溝道層。
11.根據權利要求10所述的三維存儲器件，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極具有倒“T”形。
12.根據權利要求10所述的三維存儲器件，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極具有雙面階梯形。
13.根據權利要求10所述的三維存儲器件，其中，所述堆棧間電介質層的頂表面標稱上是平坦的。
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