[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110060598.3
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112768405A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王云;葉穗豐;羅錦釗;胡君文
• 申請（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 譚映華

本申請涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。提供襯底基板，采用第一道光罩工藝在襯底基板上形成掃描線、柵電極、公共電極金屬線；其次，沉積第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層，采用第二道光罩工藝形成硅島、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極；再次，沉積第二絕緣層，采用第三道光罩工藝形成過孔層；最后，沉積透明導(dǎo)電層，采用第四道光罩工藝形成像素電極和公共電極。其有益效果在于：本申采用4道工藝可以制成IPS型薄膜晶體管陣列基板；通過減少光罩?jǐn)?shù)，實(shí)現(xiàn)工藝流程縮短了，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示領(lǐng)域由中小型屏向大屏發(fā)展；由液晶顯示行業(yè)往AMOLED，噴墨打印，MIC LED發(fā)展；由硬屏往柔性發(fā)展；且有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺式計算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

通常液晶顯示面板由彩膜基板、薄膜晶體管基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶及密封膠框組成。

IPS是水平電場型TFT-LCD，需要在薄膜晶體管陣列基板上同時形成像素電極和公共電極。具有響應(yīng)速度快、可視角度大及色彩真實(shí)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器領(lǐng)域。但是目前IPS型薄膜晶體管陣列基板的制作方法通常要采用至少6道或5道光罩工藝，參見圖1，由于光罩制作成本較高且多道光罩工藝制程時間較長，因此目前IPS型薄膜晶體管陣列基本的制作成本較高。

申請內(nèi)容

本申請實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成第一金屬層，并采用第一道光罩工藝在所述第一金屬層形成柵電極、掃描線和公共電極金屬線；

在所述襯底基板上形成第一絕緣層、半導(dǎo)體層、第二金屬層，并采用第二道光罩工藝在所述半導(dǎo)體層和第二金屬層形成硅島、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極，其中，所述硅島設(shè)于所述柵電極上方，所述源電極、所述漏電極分別硅島兩端；

在所述襯底基板進(jìn)一步形成第二絕緣層，且采用第三道光罩工藝在所述第二絕緣層上形成過孔；其中，所述過孔設(shè)置在所述漏電極上方；

在所述襯底基板上進(jìn)一步形成透明導(dǎo)電層，且采用第四道光罩工藝在所述透明導(dǎo)電層形成像素電極和公共電極，其中，所述像素電極通過所述過孔與漏電極連接，所述公共電極與所述公共電極金屬線連接。

可選地，所述采用第一道光罩工藝在所述第一金屬層形成柵電極、掃描線和公共電極金屬線，包括：

通過第一道光罩工藝的第一光罩，在所述第一金屬層上依次進(jìn)行曝光、顯影、濕刻，形成柵電極、掃描線和公共電極金屬線；

其中，所述掃描線與所述柵電極連接，所述掃描線不與所述公共電極金屬連接。

可選地，所述采用第二道光罩工藝在所述半導(dǎo)體層和第二金屬層形成硅島、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極，包括：

在所述第二金屬層上涂布光刻膠；

通過第二道光罩工藝的第二光罩，在所述第二金屬層上依次進(jìn)行一次曝光、兩次蝕刻、灰化處理，兩次干刻，形成硅島、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極。

可選地，所述第二光罩為半灰階光罩或半色調(diào)掩膜，所述第二光罩包括依次的第一全透區(qū)、第一不透區(qū)、第一半透區(qū)、第二不透區(qū)、第二全透區(qū)、第三不透區(qū)、第三全透區(qū)。

可選地，所述采用第四道光罩工藝在所述透明導(dǎo)電層形成像素電極和公共電極，包括：

通過第四道光罩工藝的第四光罩，在所述透明導(dǎo)電層上依次進(jìn)行曝光、顯影、濕刻，形成像素電極和公共電極；