[發(fā)明專利]一種網(wǎng)狀多層釤鈷納米線的制備方法

在審

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• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112687442A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊杭福;黃霞妮;吳瓊;葛洪良
• 申請（專利權(quán)）人: 湯春妹
• 主分類號: H01F1/00
• 分類號: H01F1/00;H01F41/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種網(wǎng)狀多層釤鈷納米線的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）網(wǎng)狀PC通道模板制作：利用高能重離子束輻照在聚碳酸酯薄膜（PC）表面，輻照過程中，以重離子束為法線，先調(diào)節(jié)聚碳酸酯薄膜的角度，使聚碳酸酯薄膜與重離子束的輻射角度為α，再旋轉(zhuǎn)聚碳酸酯薄膜，使碳酸酯薄膜與重離子束的輻射角度為-α，聚碳酸酯經(jīng)過兩次重離子束輻照后，在內(nèi)部形成網(wǎng)狀的納米通道網(wǎng)絡(luò)，將聚碳酸酯薄膜放入Na(OH)溶液中，通過化學(xué)刻蝕法，將納米通道網(wǎng)絡(luò)的孔擴(kuò)大，形成具有3D網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的PC通道模板，最后使用電子蒸鍍法，在聚碳酸酯薄膜表面鍍一層Au/Pt薄膜；

2）化學(xué)電沉積：配制一定濃度的Sm₂(SO₄)₃，CoSO₄和CuSO₄混合溶液作為化學(xué)電沉積溶液，以硼酸、檸檬酸和檸檬酸鈉的一種或多種，作為絡(luò)合劑，將步驟1得到的網(wǎng)狀PC通道模板放入電沉積液中，利用電化學(xué)工作站，以模板上的Au/Pt薄膜作為陰極，Ag/AgCl作為參比電極以及Pt作為對電極，采用脈沖電沉積技術(shù)，沉積電位在-2V和-0.4V之間切換，-2.4V沉積SmCo材料，-0.4V用來沉積Cu，-2.4V的脈沖持續(xù)時間為500ms~1s，-0.4V脈沖的持續(xù)時間為1s~2s，在聚碳酸酯薄膜中沉積得到網(wǎng)狀(SmCo)_1-xCu_x/Cu多層納米線，其中x≤0.05，(SmCo)_1-xCu_x的厚度為10nm~20nm，Cu納米層的厚度為1nm~2nm；

3）模板移除：將步驟2中得到的(SmCo)_1-xCu_x/Cu納米線的聚碳酸酯薄膜，放入二氯甲烷溶液中，聚碳酸酯薄膜溶解后得到網(wǎng)狀(SmCo)_1-xCu_x/Cu納米線；

4）時效處理：將步驟3中得到的網(wǎng)狀(SmCo)_1-xCu_x/Cu納米線在600~850 ^oC氮氣保護(hù)下時效處理2h~4h，隨爐冷卻至室溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀多層釤鈷納米線的制備方法，其特征在于：使用的高能重離子束能量為5MeV~10MeV，輻照區(qū)域的直徑為2cm, 頻率為1Hz~2Hz； 所述的聚碳酸酯薄膜的厚度為20 μm ~100 μm；所述的碳酸酯薄膜與重離子束的輻射角度α為20^o~45^o,開孔后獲得的網(wǎng)狀納米通道直徑為50nm~200nm；所述的聚碳酸酯薄膜鍍表面Au/Pt薄膜的厚度為500nm~1 μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)狀多層釤鈷納米線的制備方法，所述的Sm₂(SO₄)₃,CoSO₄和CuSO₄混合溶液中，Sm:Co:Cu的原子比為1：5~8.5：0.002~0.008；所述的二氯甲烷溶液的濃度為0.5 molL^-1~2 molL^-1。