[發(fā)明專利]基于VCSEL成像和同軸可視化設(shè)計(jì)的激光器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110059453.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112382928A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李陽(yáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京鐳科光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01S5/183 | 分類號(hào): | H01S5/183;H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司: | 北京汲智翼成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 陳曦;王鵬麗 |
| 地址: | 100192 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 vcsel 成像 同軸 可視化 設(shè)計(jì) 激光器 | ||
1.一種基于VCSEL成像和同軸可視化設(shè)計(jì)的激光器,其特征在于,包括:
外殼,限定中空的容納腔;
VCSEL平面陣列光源和熱沉,設(shè)置于外殼中;VCSEL平面陣列光源設(shè)置在熱沉上且用于發(fā)射出VCSEL激光;
成像透鏡,設(shè)置于外殼中;且成像透鏡與VCSEL平面陣列光源的主光軸同軸設(shè)置,用于對(duì)VCSEL激光進(jìn)行成像;VCSEL平面陣列光源和成像透鏡之間的距離大于成像透鏡的焦距;
平面反射鏡,設(shè)置于外殼中;平面反射鏡位于成像透鏡的后方并與VCSEL平面陣列光源的主光軸成α角設(shè)置,以使經(jīng)過(guò)成像透鏡的激光發(fā)生偏折,并在偏折后的VCSEL激光的主光軸上形成實(shí)像,0°α90°;所述平面反射鏡用于對(duì)VCSEL激光進(jìn)行全反射并允許其他波長(zhǎng)光線透過(guò);
光學(xué)窗口,設(shè)置在外殼上,并設(shè)置在偏折后的VCSEL激光的實(shí)像像點(diǎn)位置;
觀測(cè)位置,設(shè)置在平面反射鏡遠(yuǎn)離成像透鏡和光學(xué)窗口的一側(cè),所述觀測(cè)位置與偏折后的VCSEL激光的光心軸同軸設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:
VCSEL平面陣列光源和成像透鏡之間的距離c,成像透鏡和平面反射鏡之間的距離a,以及平面反射鏡與光學(xué)窗口之間的距離b,滿足以下公式:1/(a+b)+1/c=1/f;
其中,f表示成像透鏡的焦距。
3.如權(quán)利要求2所述的激光器,其特征在于:
所述成像透鏡的直徑D應(yīng)滿足以下公式:D≥m+2c×tan(θ/2);其中,m為VCSEL平面陣列光源的光斑直徑,θ為VCSEL平面陣列光源的發(fā)散角全角。
4.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:
所述成像透鏡是雙凸透鏡。
5.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:
所述平面反射鏡面向所述成像透鏡的一側(cè)表面設(shè)置有用于對(duì)VCSEL激光進(jìn)行反射的高反膜。
6.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:
平面反射鏡和VCSEL平面陣列光源的主光軸成45度角設(shè)置。
7.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:所述觀測(cè)位置設(shè)置有CCD成像設(shè)備。
8.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:所述觀測(cè)位置設(shè)置有觀測(cè)窗口,或者所述觀測(cè)位置設(shè)置有觀測(cè)窗口和放大鏡的組合。
9.如權(quán)利要求1所述的激光器,其特征在于:還包括半導(dǎo)體制冷片和熱管,其中,半導(dǎo)體制冷片的冷端用于對(duì)光學(xué)窗口進(jìn)行制冷,所述半導(dǎo)體制冷片的熱端通過(guò)所述熱管與所述熱沉進(jìn)行散熱。
10.如權(quán)利要求9所述的激光器,其特征在于:還包括風(fēng)扇和控制單元,所述風(fēng)扇設(shè)置在所述熱沉下方,用于對(duì)所述熱沉進(jìn)行散熱;所述半導(dǎo)體制冷片、所述VCSEL平面陣列光源和所述風(fēng)扇分別與所述控制單元電連接。
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