[發明專利]一種GaN基射頻器件的封裝結構

有效

• 申請號: 202110059397.1
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112951777B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 徐迪;史聞;江大白;謝志峰
• 申請（專利權）人: 芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/427
• 代理公司: 南京業騰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32321
• 代理人: 馬威

1.一種GaN基射頻器件的封裝結構，包括基板(1)、設置在基板(1)上GaN芯片(2)以及與基板(1)合圍將GaN芯片(2)密封的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括封裝殼體(3)、設置在封裝殼體(3)內部頂端的散熱組件以及均勻設置在封裝殼體(3)頂部的散熱翅片(4)，其中，所述封裝殼體(3)頂部兩側設置有向中心傾斜的斜面(31)；

所述散熱組件包括呈框型的散熱殼體(41)，所述散熱殼體(41)的底部呈波浪狀，散熱殼體(41)的頂部與封裝殼體(3)頂部相互適配，所述散熱殼體(41)內部對應波谷位置處的水平設置有散熱管(5)，所述散熱殼體(41)內部對應波峰位置處均勻傾斜設置有進氣管(6)，且進氣管(6)一端延伸與散熱管(5)連通，進氣管(6)的另一端與封裝殼體(3)內部連通，所述散熱管(5)的底部均勻垂直設置有出氣管(7)，且出氣管(7)的底端延伸至散熱殼體(41)底部，所述散熱殼體(41)的內部填裝有冷卻液；

所述散熱翅片(4)的內部氣體液化腔(42)，且氣體液化腔(42)兩端朝向中心向下傾斜，所述散熱殼體(41)頂部的兩端與氣體液化腔(42)之間均勻設置有漏斗管一(8)，所述散熱殼體(41)的中心與氣體液化腔(42)中心之間均勻設置有漏斗管二(9)，其中，所述漏斗管一(8)大孔徑位于散熱殼體(41)的一端，漏斗管二(9)的大孔徑位于氣體液化腔(42)的一端。

2.根據權利要求1所述的一種GaN基射頻器件的封裝結構，其特征在于：所述進氣管(6)與出氣管(7)的位置相互交錯。

3.根據權利要求1所述的一種GaN基射頻器件的封裝結構，其特征在于：所述冷卻液采用二硫化碳。

4.根據權利要求1所述的一種GaN基射頻器件的封裝結構，其特征在于：所述冷卻液的液面高于散熱管(5)的高度。

5.根據權利要求1所述的一種GaN基射頻器件的封裝結構，其特征在于：所述散熱管(5)的高度高于散熱殼體(41)底部波峰的高度。