[發明專利]Ho摻雜Bi2 有效
| 申請號： | 202110058982.X | 申請日： | 2021-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN112939483B | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發明（設計）人： | 周威;鐘福新;勞昌玲;王家鈺;黎燕;莫德清 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ho 摻雜 bi base sub | ||
1.一種Ho摻雜Bi2S3納米薄膜的制備方法，其特征在于具體步驟為：
（1）將0.0243 g ~0.0728 g Bi(NO3)3·5H2O溶于10 mL分析純冰醋酸中得A溶液；
（2）將0.0360 g ~0.1080 g Na2S·9H2O溶于10 mL無水甲醇中得B溶液；
（3）將FTO裁片垂直放入步驟（1）所得A溶液浸泡30秒，用濾紙吸收底部水珠后直立放入50 ℃烘箱中烘干2 分鐘，取出冷卻后將其放入步驟（2）所得B溶液中浸泡30秒，用濾紙吸收底部水珠后直立放入50 ℃烘箱中烘干2分鐘；
（4）步驟（3）過程重復三次后，將處理后FTO裁片放入馬弗爐以10 ℃/min的升溫速率在100 ℃~300 ℃中退火100 ~200 分鐘后，用去離子水清洗三次烘干，即在FTO上生長Bi2S3晶種 即Bi2S3/FTO，待用；
（5）稱取0.0485 g~0.9700 g Bi(NO3)3·5H2O、0.0000 g~0.0123 g Ho(NO3)3·5H2O于15 mL去離子水中超聲5分鐘，再稱取0.0744 g~1.4890 g Na2S2O3·5H2O溶解于上述溶液中；使用濃度為1 mol/L的NaOH溶液將溶液pH調至4.8后定容為20 mL，再倒入反應釜；
（6）將步驟（4）所得Bi2S3/FTO放入步驟（5）反應釜中，導電面朝下，將反應釜置于120 ℃~200 ℃烘箱反應4 ~12 小時，冷卻，取出Bi2S3/FTO并用質量百分比濃度為50%的乙醇水溶液清洗三次，氮氣干燥后放入馬弗爐，以5 ℃/min的升溫速率150 ℃~350 ℃，保溫90 ~210分鐘，即獲得純Bi2S3或Ho摻雜Bi2S3薄膜，其光電壓值為0.0734 V ~0.2650 V。
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