[發(fā)明專利]一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110058589.0 | 申請日: | 2021-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN112858400A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 譚賀洵;賀春揚;申國輝 | 申請(專利權(quán))人: | 佛山鑫宏騰科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/12 | 分類號: | G01N27/12 |
| 代理公司: | 北京盛凡智榮知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616 | 代理人: | 徐佳慧 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市禪城區(qū)南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 室溫 硫化氫 氣體 檢測 傳感器 | ||
1.一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器。包括還原氧化石墨烯納米片1,銅摻雜氧化鋅納米棒2,Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3,玻璃基底4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述還原氧化石墨烯納米片1通過噴涂分散在去離子水和乙醇中,然后沉積到未摻雜和摻雜Cu的ZnO納米結(jié)構(gòu)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3采用射頻磁控濺射法在玻璃基片表面沉積而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述Au(50nm)/Ti(5nm)薄膜3表面的ZnO薄膜種子層通過水熱合成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述水熱反應(yīng)溶液通過在聚四氟乙烯容器中混合25mM硝酸鋅和25mM HMT水溶液(pH1/47)來制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述ZnO薄膜呈現(xiàn)出納米棒狀的表面形貌。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述ZnO和RG納米結(jié)構(gòu)中摻雜Cu,提供了更多的活性中心,增加了化學(xué)吸附。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述兩種納米結(jié)構(gòu)薄膜均呈現(xiàn)六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),具有多晶性質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,其特征在于:所述納米顆粒ZnO和Cu摻雜ZnO沉積物均勻分散在整個種子層涂層玻璃基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,所述傳感器表面暴露于H2S氣體中時,H2S分子被吸附在納米復(fù)合傳感器的表面上,預(yù)吸附的氧物種與H2S之間的相互作用釋放出自由電子。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,所述傳感器中Cu摻雜ZnO/RGO納米復(fù)合材料的還原氣敏機理主要受比表面積、表面缺陷和異質(zhì)結(jié)形成等因素的影響。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,所述傳感器中RGO納米片的附著不僅降低了傳感器的總電阻,而且增加了氧的總吸附位點。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于室溫下硫化氫氣體檢測傳感器,所述傳感器具有良好的長期穩(wěn)定性。
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