[發明專利]具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構有效
| 申請號： | 202110058298.1 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112859216B | 公開（公告）日： | 2021-11-30 |
| 發明（設計）人： | 王存海;馮巖巖 | 申請（專利權）人： | 北京科技大學;中國石油大學（北京） |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237 | 代理人： | 張仲波 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 顯著 方向 選擇性 發射 多層 薄膜 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構，其特征在于：包括基底（1）、反射層（2）及發射層（6），基底（1）上電鍍反射層（2），反射層（2）上電鍍發射層（6），發射層（6）由三層電介質薄膜構成，三層電介質薄膜由下到上依次為電介質平板SiO2（3）、電介質平板SiO（4）和電介質平板Al2O3（5）；所述發射層（6）三層電介質薄膜的厚度均為0.1~1.0微米。
2.根據權利要求1所述的具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構，其特征在于：所述基底（1）材料為單晶硅。
3.根據權利要求1所述的具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構，其特征在于：所述反射層（2）材料為銀，反射層（2）厚度大于0.1微米。
4.根據權利要求1所述的具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構，其特征在于：所述發射層（6）中電介質平板SiO2（3）厚度為0.1微米。
5.根據權利要求1所述的具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構，其特征在于：所述發射層（6）中電介質平板SiO（4）厚度為0.1微米。
6.根據權利要求1所述的具有顯著方向選擇性發射率的多層薄膜結構，其特征在于：所述發射層（6）中電介質平板Al2O3（5）厚度為0.3微米。
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