[發(fā)明專利]一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110057448.7 | 申請日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN112885813B | 公開（公告）日： | 2023-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊麗俠;薛智民;劉存生;曹磊;邢鴻雁;王晨杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安微電子技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L23/48 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 李鵬威 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 場效應(yīng) 晶體管 接觸 電阻 監(jiān)控 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括形成于P型外延層(1)上的N阱(101)，所述N阱(101)的上端面覆蓋有鈍化層(2)；
所述N阱(101)中形成有n個N+體區(qū)(102)，每個N+體區(qū)(102)間隔設(shè)置，每個N+體區(qū)(102)的深度相同，n為不小于2的正整數(shù)；
每個N+體區(qū)(102)的中間位置形成有一個P+源區(qū)(103)，每個P+源區(qū)(103)的深度相同，每個P+源區(qū)(103)不完全覆蓋對應(yīng)的N+體區(qū)(102)；
每個N+體區(qū)(102)的上方開設(shè)有兩個貫穿所述鈍化層(2)的接觸孔(3)，且每個接觸孔(3)均與該N+體區(qū)(102)對應(yīng)的P+源區(qū)(103)交疊；
每個N+體區(qū)(102)上的兩個接觸孔(3)通過N+體區(qū)(102)導(dǎo)通，第1個N+體區(qū)(102)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)作為引出端，第1個N+體區(qū)(102)上的另一個接觸孔(3)與第2個N+體區(qū)(102)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)導(dǎo)通，第2個N+體區(qū)(102)上的另一個接觸孔(3)與第3個N+體區(qū)(102)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)導(dǎo)通，以此類推，第n-1個N+體區(qū)(102)上的另一個接觸孔(3)與第n個N+體區(qū)(102)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)導(dǎo)通，第n個N+體區(qū)(102)上的另一個接觸孔(3)通過金屬(4)作為引出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個N+體區(qū)(102)中的摻雜雜質(zhì)為磷，每個P+源區(qū)(103)中的摻雜雜質(zhì)為硼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個N+體區(qū)(102)的結(jié)深為1～1.5μm，每個P+源區(qū)(103)的結(jié)深為0.1～0.5μm。
4.一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括形成于N型外延層(5)上的P阱(501)，所述P阱(501)的上端面覆蓋有鈍化層(2)；
所述P阱(501)中形成有n個P+體區(qū)(502)，每個P+體區(qū)(502)間隔設(shè)置，每個P+體區(qū)(502)的深度相同，n為不小于2的正整數(shù)；
每個P+體區(qū)(502)的中間位置形成有一個N+源區(qū)(503)，每個N+源區(qū)(503)的深度相同，每個N+源區(qū)(503)不完全覆蓋對應(yīng)的P+體區(qū)(502)；
每個P+體區(qū)(502)的上方開設(shè)有兩個貫穿所述鈍化層(2)的接觸孔(3)，且每個接觸孔(3)均與該P(yáng)+體區(qū)(502)對應(yīng)的N+源區(qū)(503)交疊；
每個P+體區(qū)(502)上的兩個接觸孔(3)通過P+體區(qū)(502)導(dǎo)通，第1個P+體區(qū)(502)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)作為引出端，第1個P+體區(qū)(502)上的另一個接觸孔(3)與第2個P+體區(qū)(502)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)導(dǎo)通，第2個P+體區(qū)(502)上的另一個接觸孔(3)與第3個P+體區(qū)(502)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)導(dǎo)通，以此類推，第n-1個P+體區(qū)(502)上的另一個接觸孔(3)與第n個P+體區(qū)(502)上的一個接觸孔(3)通過金屬(4)導(dǎo)通，第n個P+體區(qū)(502)上的另一個接觸孔(3)通過金屬(4)作為引出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個P+體區(qū)(502)中的摻雜雜質(zhì)為硼，每個N+源區(qū)(503)中的摻雜雜質(zhì)為砷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種場效應(yīng)晶體管的接觸孔鏈電阻的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個P+體區(qū)(502)的結(jié)深為1～1.5μm，每個N+源區(qū)(503)的結(jié)深為0.1～0.5μm。
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