[發明專利]一種α-MnSe納米片及其制備方法與用途有效
| 申請號： | 202110057412.9 | 申請日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN112850660B | 公開（公告）日： | 2022-11-01 |
| 發明（設計）人： | 何軍;李寧寧;王振興 | 申請（專利權）人： | 國家納米科學中心 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 陳征 |
| 地址： | 100190 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mnse 納米 及其 制備 方法 用途 | ||
【權利要求書】：
1.一種α-MnSe納米片的制備方法，其特征在于，包括：
以Se和錳源為原料，經化學氣相沉積法制得；
具體包括：將Se置于雙溫區管式爐的低溫區、錳源置于雙溫區管式爐的高溫區，云母置于錳源后2~6 cm處，所述雙溫區管式爐的爐管為石英管，用氬氣清洗所述石英管后，將低溫區的溫度升至280℃、高溫區的溫度升至680~750℃或630~710℃，持續通入氬氣和氫氣的混合氣體，其中，氬氣的流量為100~150 sccm，氫氣的流量為5~20 sccm，反應時間為15~55min，待反應結束后，自然冷卻至室溫，得到生長在云母上的α-MnSe納米片；
其中，高溫區的溫度根據錳源而定；當錳源為MnO2時，高溫區的溫度升至680~750℃；當錳源為MnCl2時，高溫區的溫度升至630~710℃。
2.權利要求1所述的制備方法制得的α-MnSe納米片在制備光電探測器中的應用。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國家納米科學中心，未經國家納米科學中心許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110057412.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：錨點終端確定、信息發送方法、通信節點及存儲介質
- 下一篇：一種家具
