[發(fā)明專利]抗蝕劑底層組合物和使用所述組合物形成圖案的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110056902.7
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113138532A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔有廷;權(quán)純亨;樸賢;白載烈;金旼秀;裵信孝;宋大錫;安度源
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/09
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種抗蝕劑底層組合物，包括：

(A)包含由化學(xué)式1表示的結(jié)構(gòu)單元、由化學(xué)式2表示的化合物或其組合的聚合物；

(B)包含其中由化學(xué)式3或化學(xué)式4表示的部分中的至少一個和由化學(xué)式7表示的部分彼此鍵結(jié)的結(jié)構(gòu)的聚合物；以及

(C)溶劑：

[化學(xué)式1]

其中，在化學(xué)式1中，

R¹和R²獨(dú)立地為羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20烷氧基、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30雜芳基或其組合，

L¹和L²獨(dú)立地為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C20亞環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30亞芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20亞雜烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20亞雜環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30亞雜芳基或其組合，且

*為鍵聯(lián)點(diǎn)；

[化學(xué)式2]

其中，在化學(xué)式2中，

R³到R⁶獨(dú)立地為羥基、硫醇基、氰基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的氨基、鹵素原子、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基或其組合，且

L³為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30亞芳基或其組合；

[化學(xué)式3]

[化學(xué)式4]

其中，在化學(xué)式3和化學(xué)式4中，

R^a和R^b獨(dú)立地為氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C20芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10雜烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20雜烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C20雜環(huán)烷基、或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C20雜芳基或其組合，

R^c為以下各項(xiàng)：末端基團(tuán)，為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C20環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10雜烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C20雜烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C20雜環(huán)烷基或其組合；由鍵聯(lián)到所述末端基團(tuán)的化學(xué)式5或化學(xué)式6表示的結(jié)構(gòu)單元；由化學(xué)式6表示的基團(tuán)；或由其組合表示的基團(tuán)，且

化學(xué)式3或化學(xué)式4在每一個*位置處鍵聯(lián)到由化學(xué)式7中的*所指示的點(diǎn)；

[化學(xué)式5]

[化學(xué)式6]

其中，在化學(xué)式5和化學(xué)式6中，

L³和L⁴獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20亞烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C20亞雜烷基或其組合，

R^a和R^b獨(dú)立地與化學(xué)式3和化學(xué)式4中定義的相同，且

*為鍵聯(lián)點(diǎn)；

[化學(xué)式7]

其中，在化學(xué)式7中，

A為單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10亞烷基、-C(＝O)-、-(CO)O-、-O(CO)O-或其組合，

X為單鍵、-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-C(＝O)-、-(CO)O-、-O(CO)O-、-NR-或其組合，其中R為氫、氘或C1到C10烷基，

R^d為氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、環(huán)氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧雜環(huán)丁烷基、硫醇基、羧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C10環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳氧基或其組合，

R^e為氫、氘以及C1到C10烷基中的一個，

n¹為1到10,000，且

*鍵聯(lián)到化學(xué)式3或化學(xué)式4，或鍵聯(lián)到氫、氘、鹵素、羥基、氰基、硝基、氨基、環(huán)氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧雜環(huán)丁烷基、硫醇基、羧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30炔基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C10烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C10環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳氧基或其組合，

前提是化學(xué)式3或化學(xué)式4中的至少一個鍵聯(lián)到化學(xué)式7中的*。