[發(fā)明專利]無(wú)源器件模塊在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110056766.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113161325A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃詩(shī)雅;蔡仲豪;余振華;王垂堂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/04 | 分類號(hào): | H01L25/04;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L25/16 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 無(wú)源 器件 模塊 | ||
1.一種無(wú)源器件模塊,包括:
第一層級(jí),包含:
第一半導(dǎo)體芯片,具有接觸柱;以及
第一密封體,密封所述第一半導(dǎo)體芯片;
第二層級(jí),設(shè)置在所述第一層級(jí)上且包含:
第二半導(dǎo)體芯片;
層間貫穿壁,位于所述第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁旁側(cè)并面向所述第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁,且電連接到所述接觸柱;以及
第二密封體,密封所述第二半導(dǎo)體芯片和所述層間貫穿壁;以及
連接端子,設(shè)置在所述第二層級(jí)上方且經(jīng)由所述層間貫穿壁電連接到所述第一半導(dǎo)體芯片,
其中所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片包含無(wú)源器件。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





