[發(fā)明專利]一種雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110056695.5 | 申請日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN112802821B | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 丁蕾;劉凱;羅燕;閔康磊;張瑞玨;王立春;曹向榮;陳凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海航天電子通訊設(shè)備研究所 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L23/373;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人： | 賀姿;胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 雙面 多層 布線 轉(zhuǎn)接 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，包括鋁硅基板、薄膜布線絕緣層、BCB薄膜布線層、第三薄膜金屬布線層及LCP基板；
所述鋁硅基板包括相對的第一表面和第二表面，所述鋁硅基板電氣互連的位置處加工有若干通柱，所述通柱與所述鋁硅基板之間具有將所述通柱與所述鋁硅基板隔離的環(huán)形通槽，所述環(huán)形通槽的兩側(cè)壁及所述通柱的上表面沉積有金屬附著層，所述環(huán)形通槽內(nèi)填充有絕緣介質(zhì)，所述鋁硅基板的第二表面上開設(shè)有基板埋置腔；
所述薄膜布線絕緣層覆于所述鋁硅基板的第一表面上；
所述BCB薄膜布線層包括第一薄膜金屬布線層、BCB介質(zhì)層及第二薄膜金屬布線層，所述第一薄膜金屬布線層設(shè)置于所述薄膜布線絕緣層及所述通柱上表面的所述金屬附著層上，所述BCB介質(zhì)層設(shè)置于所述第一薄膜金屬布線層上，所述第二薄膜金屬布線層設(shè)置于所述BCB介質(zhì)層上；
所述第三薄膜金屬布線層設(shè)置于所述鋁硅基板的第二表面上；
所述LCP基板容置于所述基板埋置腔內(nèi)，所述LCP基板包括LCP粘結(jié)片、LCP介質(zhì)層及銅膜布線層，所述LCP粘結(jié)片粘接于所述基板埋置腔的底面，所述LCP介質(zhì)層貼于所述LCP粘結(jié)片上，所述銅膜布線層覆于所述LCP介質(zhì)層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述通柱及所述基板埋置腔均采用紫外激光加工而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述第一薄膜金屬布線層及所述第三薄膜金屬布線層為Cr/Cu或Ti/Cu或TiW/Cu。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述第二薄膜金屬布線層為Ti/Pt/Au或TiW/Pt/Au或Cr/Pd/Au或Ti/Pd/Au或TiW/Pd/Au。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述LCP基板的厚度較所述基板埋置腔的深度小250μm～500μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述金屬附著層為Ta/Al，所述薄膜布線絕緣層為Ta2O5/Al2O5。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板，其特征在于，所述LCP粘結(jié)片的尺寸面積較所述LCP基板的尺寸面積小85％～90％。
8.一種雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：提供一鋁硅基板，所述鋁硅基板包括相對的第一表面和第二表面，采用激光垂直通孔技術(shù)于所述鋁硅基板的第一表面開設(shè)若干用于電氣互連的通柱及環(huán)繞所述通柱的環(huán)形凹槽，采用激光垂直通孔技術(shù)于所述鋁硅基板的第二表面開設(shè)基板埋置腔；
S2：于所述鋁硅基板的第一表面、所述通柱的上表面及所述環(huán)形凹槽的側(cè)壁上薄膜沉積金屬附著層，于所述環(huán)形凹槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，并進(jìn)行固化；
S3：將所述鋁硅基板的第二表面進(jìn)行減薄拋光，直至所述通柱的下表面露出；
S4：將所述鋁硅基板的第一表面上的金屬附著層進(jìn)行陽極氧化，形成薄膜布線絕緣層；
S5：采用剝離工藝于所述薄膜布線絕緣層及所述通柱上表面的金屬附著層上制作第一薄膜金屬布線層，采用剝離工藝于所述鋁硅基板的第二表面上制作第三薄膜金屬布線層；
S6：于所述第一薄膜金屬布線層上涂覆BCB介質(zhì)層，光刻形成介質(zhì)層通孔；
S7：采用剝離工藝于所述BCB介質(zhì)層上制作第二薄膜金屬布線層；
S8：取一單面覆銅LCP基板，采用光刻濕法腐蝕工藝于所述LCP基板的覆銅面制作銅膜布線層；
S9：取一LCP粘結(jié)片貼裝于所述基板埋置腔的底面上，于所述LCP粘結(jié)片上依次貼裝LCP介質(zhì)層及銅膜布線層，并采用鍵合工裝進(jìn)行熱壓鍵合，制得所述雙面多層布線的鋁基轉(zhuǎn)接板。
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