[發明專利]三維半導體存儲器件

在審

• 申請號: 202110056565.1
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113497053A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 南丞祐;李秉一;徐裕軫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種三維半導體存儲器件，所述三維半導體存儲器件包括：

水平結構，所述水平結構位于襯底的上表面上，所述水平結構包括在垂直方向上順序堆疊在所述襯底的所述上表面上的第一水平圖案和第二水平圖案；

堆疊結構，所述堆疊結構包括在所述垂直方向上堆疊在所述水平結構上的多個電極；

垂直圖案，所述垂直圖案延伸穿過所述多個電極并且連接到所述第一水平圖案；和

分隔結構，所述分隔結構與所述堆疊結構和所述水平結構相交并且突出到所述襯底的所述上表面中，

其中，所述多個電極中的最下面的電極包括彼此面對并且在第一方向上彼此間隔開的第一內側壁，所述分隔結構介于所述第一內側壁之間，并且所述第二水平圖案包括彼此面對并且在所述第一方向上彼此間隔開的第二內側壁，所述分隔結構介于所述第二內側壁之間，并且

其中，所述第一內側壁之間的在所述第一方向上的最大距離小于所述第二內側壁之間的在所述第一方向上的最大距離。

2.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，其中，所述垂直圖案包括多個垂直圖案，并且所述分隔結構位于所述多個垂直圖案中的第一垂直圖案與所述多個垂直圖案中的第二垂直圖案之間并且在平行于所述襯底的所述上表面的第二方向上縱長地延伸。

3.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，其中，所述第一水平圖案包括彼此面對并且在所述第一方向上彼此間隔開的第三內側壁，所述分隔結構介于所述第三內側壁之間，并且所述第三內側壁之間的在所述第一方向上的最大距離小于所述第二內側壁之間的在所述第一方向上的所述最大距離。

4.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，其中，所述第一水平圖案包括彼此面對并且在所述第一方向上彼此間隔開的第三內側壁，所述分隔結構介于所述第三內側壁之間，并且

其中，所述分隔結構在所述第一方向上的最大寬度大于所述第三內側壁之間的在所述第一方向上的最大距離。

5.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，其中，所述分隔結構在所述垂直方向上在低于所述第一水平圖案的下表面的水平高度處具有在所述第一方向上的最大寬度。

6.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，所述三維半導體存儲器件還包括：

絕緣層，所述絕緣層在所述分隔結構與所述第二水平圖案的所述第二內側壁中的一個第二內側壁之間延伸，其中，所述絕緣層覆蓋所述第一水平圖案的上表面的一部分。

7.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，其中，所述襯底包括凹部，并且所述分隔結構的一部分位于所述凹部中，并且

其中，所述凹部在所述垂直方向上的深度大于所述第一水平圖案在所述垂直方向上的厚度。

8.根據權利要求1所述的三維半導體存儲器件，其中，所述第一水平圖案包括上表面，所述上表面包括面對所述第二水平圖案的第一部分和第二部分，所述第二部分朝向所述分隔結構突出超過所述第二水平圖案的所述第二內側壁中的一個第二內側壁，使得所述第二水平圖案在所述垂直方向上不與所述第一水平圖案的所述上表面的所述第二部分交疊。

9.根據權利要求8所述的三維半導體存儲器件，所述三維半導體存儲器件還包括位于所述第一水平圖案與所述第二水平圖案之間的界面層，

其中，所述界面層包括碳或導電材料，并且

其中，所述界面層在所述垂直方向上不與所述第一水平圖案的所述上表面的所述第二部分交疊。