[發(fā)明專利]一種雙面應(yīng)力補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110055955.7
• 申請(qǐng)日: 2021-01-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112909099B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊文奕;張小賓;黃珊珊;魏婷婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山德華芯片技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/0304
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 肖軍

本發(fā)明公開(kāi)了一種雙面應(yīng)力補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能電池，包括：襯底；第一薄膜層，設(shè)置在所述襯底的一側(cè)壁面上；第二薄膜層，設(shè)置在所述襯底的另一側(cè)壁面上，所述第一薄膜層的晶格常數(shù)與所述第二薄膜層的晶格常數(shù)均小于或大于所述襯底的晶格常數(shù)。通過(guò)在襯底的兩側(cè)壁面上分別設(shè)置有第一薄膜層、第二薄膜層，由于第一薄膜層的晶格常數(shù)與第二薄膜層的晶格常數(shù)均小于或大于襯底的晶格常數(shù)，使得第一薄膜層和襯底之間的應(yīng)力與第二薄膜層和襯底之間的應(yīng)力方向相反，進(jìn)而令襯底兩側(cè)壁面受到的應(yīng)力相互抵消，有利于降低襯底因晶格失配應(yīng)力產(chǎn)生的翹曲度，有利于提高良品率、整體性能和使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別涉及具有一種雙面應(yīng)力補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能電池。

背景技術(shù)

太陽(yáng)能電池通過(guò)在襯底上延長(zhǎng)不同材料的薄膜層，薄膜層與襯底之間或者不同薄膜層之間形成PN結(jié)，當(dāng)太陽(yáng)光照射在太陽(yáng)能電池上時(shí)，薄膜層吸收與帶隙對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)光波段，進(jìn)而激發(fā)載流子配合PN結(jié)產(chǎn)生電壓。

現(xiàn)有技術(shù)中的太陽(yáng)能電池，在襯底上延長(zhǎng)薄膜層時(shí)，由于襯底與薄膜層的材料不同，使得在薄膜層延長(zhǎng)過(guò)程中，因?yàn)榫Ц袷鋵?dǎo)致襯底與薄膜層之間產(chǎn)生應(yīng)力，進(jìn)而令襯底產(chǎn)生翹曲，降低良品率并且影響太陽(yáng)能電池的性能和壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明提出一種雙面應(yīng)力補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能電池，其能夠減低襯底的翹曲度，有利于提高良品率和性能。

根據(jù)本發(fā)明的一種雙面應(yīng)力補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能電池，包括：襯底；第一薄膜層，設(shè)置在所述襯底的一側(cè)壁面上；第二薄膜層，設(shè)置在所述襯底的另一側(cè)壁面上，所述第一薄膜層的晶格常數(shù)與所述第二薄膜層的晶格常數(shù)均小于或大于所述襯底的晶格常數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種雙面應(yīng)力補(bǔ)償?shù)奶?yáng)能電池，至少具有如下有益效果：通過(guò)在襯底的兩側(cè)壁面上分別設(shè)置有第一薄膜層、第二薄膜層，由于第一薄膜層的晶格常數(shù)與第二薄膜層的晶格常數(shù)均小于或大于襯底的晶格常數(shù)，使得第一薄膜層和襯底之間的應(yīng)力與第二薄膜層和襯底之間的應(yīng)力方向相反，進(jìn)而令襯底兩側(cè)壁面受到的應(yīng)力相互抵消，有利于降低襯底因晶格失配應(yīng)力產(chǎn)生的翹曲度，有利于提高良品率、整體性能和使用壽命。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，還包括至少一層設(shè)置在所述第一薄膜層上的第一附加薄膜層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，還包括至少一層設(shè)置在所述第二薄膜層上的第二附加薄膜層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第一附加薄膜層的光學(xué)帶隙、所述第一薄膜層的光學(xué)帶隙、所述襯底的光學(xué)帶隙、所述第二薄膜層的光學(xué)帶隙以及所述第二附加薄膜層的光學(xué)帶隙依次遞減或遞增。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述襯底為InP片。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第一薄膜層為AlGaAs層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第二薄膜層為GaNAsSb層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第一附加薄膜層有一層，所述第一附加薄膜層為AlGaInP層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述第二附加薄膜層有一層，所述第二附加薄膜層為GaInNAs層。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，所述AlGaInP層的光學(xué)帶隙為2.1eV，所述AlGaAs層的光學(xué)帶隙為1.7eV，所述InP片的光學(xué)帶隙為1.34eV，所述GaNAsSb層的光學(xué)帶隙為1.0eV，所述GaInNAs層的光學(xué)帶隙為0.6eV。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1為本發(fā)明其中一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。