[發明專利]一種硅鋁合金封裝基板及其制備方法有效
| 申請號： | 202110055168.2 | 申請日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN112802809B | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發明（設計）人： | 高求;羅燕;丁蕾;劉凱;趙越;王立春;曹向榮;陳凱 | 申請（專利權）人： | 上海航天電子通訊設備研究所 |
| 主分類號： | H01L23/373 | 分類號： | H01L23/373;H01L23/538;H01L23/552;H01L23/66;H01L21/768;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鋁合金 封裝 及其 制備 方法 | ||
1.一種硅鋁合金封裝基板，其特征在于，所述封裝基板的基體材料為硅鋁合金，所述封裝基板上設有曲面天線共型貼裝平臺、微波信號屏蔽腔體以及平面轉接板，所述曲面天線共型貼裝平臺用于天線共型貼裝，所述微波信號屏蔽腔體用于微波信號電路集成，所述封裝基板為垂直互連封裝基板。
2.根據權利要求1所述的硅鋁合金封裝基板，其特征在于，所述垂直互連封裝基板包括基板、通柱以及填充在所述通柱與所述基板的縫隙中的絕緣介質層，所述通柱與所述絕緣介質層同軸，所述通柱的材質為硅鋁合金。
3.根據權利要求2所述的硅鋁合金封裝基板，其特征在于，所述絕緣介質層的材質為玻璃介質。
4.一種如權利要求1-3任意一項所述的硅鋁合金封裝基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：制備垂直互連封裝基板；
S2：在所述垂直互連封裝基板上加工曲面天線共型貼裝平臺、微波信號屏蔽腔體；
S3：采用化學機械腐蝕拋光所述步驟S2的基板，得到所述的封裝基板；
所述步驟S1具體包括：
S101：利用激光垂直通孔技術在硅鋁合金基板上制備同軸連接柱盲孔陣列；
S102：在所述同軸連接柱盲孔陣列的盲孔縫隙中填充低溫玻璃漿料；
S103：采用排膠工藝將所述S102的盲孔縫隙中的低溫玻璃漿料的有機成分排除；
S104：采用分段式玻璃燒結回流技術使硅鋁合金基板與玻璃漿料之間鍵合；
S105：磨拋減薄所述步驟S104處理后的硅鋁合金基板的上下表面。
5.根據權利要求4所述的硅鋁合金封裝基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S103具體為采用超聲震蕩柔順法向盲孔縫隙中填充熔融溫度小于500℃的玻璃漿料。
6.根據權利要求4所述的硅鋁合金封裝基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S105中采用化學機械腐蝕磨拋減薄所述步驟S104處理后的硅鋁合金基板的上下表面。
7.根據權利要求4所述的硅鋁合金封裝基板的制備方法，其特征在于，磨拋硅鋁合金基板和加工平面轉接板過程中，采用石蠟或樹脂將平面轉接板固封。
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