[發(fā)明專利]一種非晶硅氧碳復合陶瓷熱障涂層的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110054578.5
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112830787B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設計）人: 蘇冬;田正凱;萬萌;孫曉亮;王昊
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C04B35/571
• 分類號: C04B35/571;C04B35/56;C04B35/622
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 王麗

1.一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法： 其特征是，包括以下步驟：

1)PSO前驅體漿料的配制：稱取含氫聚硅氧烷和四甲基四乙烯基環(huán)四硅氧烷，攪拌均勻得到PSO前驅體；稱取氧化硅、氧化鋁、氧化硼、鋁和鎳作為固體填料，加入溶劑混合均勻，然后進行球磨，將球磨結束后得到的固體填料和溶劑的混合物作為球磨漿料；將球磨漿料加入PSO前驅體中得到PSO前驅體漿料；固體填料中的氧化硅、氧化鋁、氧化硼、鋁和鎳的質量比為1:(1-2):(1-2):1:1；

2)硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備：采用提拉浸漬法，將步驟1)得到的PSO前驅體漿料提拉1～3次，每次浸漬5～10s，在基體表面包覆一層均勻的PSO前驅體漿料；

3)PSO前驅體漿料的交聯(lián)和熱解：將步驟2)得到的包覆了PSO前驅體漿料的基體放入烘箱中交聯(lián)，在基體表面形成均勻的PSO復合涂層；再放入管式爐，在惰性氣氛中進行熱解，得到非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層；

所述步驟1)中的含氫聚硅氧烷與四甲基四乙烯基環(huán)四硅氧烷的質量比為1:(1-2)；PSO前驅體與固體填料的質量比為1:(2-4)；所述步驟2)基體為高溫K3鎳合金。

2.如權利要求1所述的一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法，其特征是步驟1)中的球磨溶劑為正己烷、環(huán)己烷或乙醇。

3.如權利要求1所述的一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法，其特征是步驟1)中的球磨漿料的固含量為40～50％。

4.如權利要求1所述的一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法，其特征是步驟2)中的提拉速度為1000～5000μm/s。

5.如權利要求1所述的一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法，其特征是步驟3)中的交聯(lián)溫度60～100℃，交聯(lián)時間1～2h。

6.如權利要求1所述的一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法，其特征是步驟3)中的熱解溫度1000～1200℃，保溫時間2h。

7.如權利要求1所述的一種非晶硅氧碳陶瓷復合熱障涂層的制備方法，其特征是步驟3)中的升溫速率3～5℃/min。