[發(fā)明專利]用于過負(fù)荷控制的功率選通電路及集成電路芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110054285.7
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112886544B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 原義棟;趙東艷;肖知明;李紀(jì)平;許秋珍;曲鵬達(dá);喬彥彬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京智芯微電子科技有限公司;南開大學(xué);國網(wǎng)信息通信產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司;北京芯可鑒科技有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/06;H02H3/08
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;王曉曉

1.一種用于過負(fù)荷控制的功率選通電路，包括設(shè)置于供電源與負(fù)載之間的通道開關(guān)，其特征在于，還包括轉(zhuǎn)換模塊、過負(fù)荷比較模塊以及功率選通控制模塊；

所述轉(zhuǎn)換模塊用于將所述供電源的電壓轉(zhuǎn)換為可以量化的通道電阻；

所述過負(fù)荷比較模塊用于基于所述通道電阻計(jì)算功率門限，在輸出功率達(dá)到所述功率門限時觸發(fā)所述通道開關(guān)；

所述功率選通控制模塊用于對觸發(fā)所述通道開關(guān)的過程進(jìn)行邏輯控制；

所述通道開關(guān)為MOS晶體管；

所述轉(zhuǎn)換模塊包括第一MOS管、運(yùn)算放大器以及跨導(dǎo)放大器，所述第一MOS管的源極連接到所述供電源，所述第一MOS管的柵極與所述運(yùn)算放大器的輸出端連接；

所述跨導(dǎo)放大器的同相輸入端連接到所述供電源，所述跨導(dǎo)放大器的反相輸入端接地，所述跨導(dǎo)放大器的輸出端與所述第一MOS管的漏極以及所述運(yùn)算放大器的同相輸入端連接，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端通過第一恒定電流源接地并通過第一電阻與所述通道開關(guān)的源極連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于過負(fù)荷控制的功率選通電路，其特征在于，所述過負(fù)荷比較模塊包括第二MOS管和比較器；

所述第二MOS管的柵極與所述第一MOS管的柵極連接，所述第二MOS管的源極與所述通道開關(guān)的源極連接，所述第二MOS管的漏極與所述比較器的同相輸入端連接并通過第二恒定電流源接地；

所述通道開關(guān)的漏極與所述比較器的反相輸入端連接并連接到所述負(fù)載，所述比較器的輸出端通過所述功率選通控制模塊連接到所述通道開關(guān)的柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于過負(fù)荷控制的功率選通電路，其特征在于，所述功率選通控制模塊包括依次連接的閂鎖電路模塊、計(jì)時器模塊、門驅(qū)動器模塊以及鎖存邏輯模塊，所述閂鎖電路模塊與所述比較器的輸出端連接，所述門驅(qū)動器模塊與所述通道開關(guān)的柵極連接；

所述計(jì)時器模塊用于探測所述比較器的輸出狀態(tài)；

所述閂鎖電路模塊和所述鎖存邏輯模塊用于鎖存所述比較器輸出的邏輯信號。

4.一種集成電路芯片，其特征在于，包括權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的用于過負(fù)荷控制的功率選通電路。