[發明專利]一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法、納米線及器件在審
| 申請號： | 202110054151.5 | 申請日： | 2021-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN112899647A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發明（設計）人： | 戴放;沈吉;劉彬;常維靜;徐叔喜;王仕鑫 | 申請（專利權）人： | 中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心 |
| 主分類號： | C23C16/30 | 分類號： | C23C16/30;C30B29/48;C30B29/62;C30B25/02;B82Y40/00;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一維硫硒化鎘 半導體 納米 制備 方法 器件 | ||
1.一種一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01：在襯底上沉積一金屬催化劑薄膜；
S02：在保護氣存在下，均勻混合硫化鎘和硒化鎘；
S03：將步驟S01的襯底和混合的硫化鎘與硒化鎘進行加溫，通過化學氣相沉積方法得到一維納米線。
2.根據權利要求1所述的一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟S01中金屬催化劑薄膜為Ni、Cr、或Pt，所述金屬催化劑薄膜厚度為5nm-10nm。
3.根據權利要求1所述的一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟S02的保護氣為N2和Ar2混合氣，混合比例為N2：Ar2=6：4。
4.根據權利要求1所述的一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟S03中加溫方法包括，先加熱至690-850℃，保持一定時間后，將溫度控制在500-620℃。
5.根據權利要求1所述的一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法，其特征在于，所述步驟S02中硫化鎘和硒化鎘混合比例為CdS：CdSe=3.7：6.3。
6.一種一維硫硒化鎘半導體納米線，其特征在于，采用權利要求1-5任一項所述的一維硫硒化鎘半導體納米線的制備方法得到一維硫硒化鎘半導體納米線。
7.一種器件，其特征在于，包括權利要求6的一維硫硒化鎘半導體納米線。
8.一種光電探測器，其特征在于，從下到上依次包括：二氧化硅襯底、兩側金屬電極以及一維硫硒化鎘半導體納米線，所述一維硫硒化鎘半導體納米線為權利要求6的一維硫硒化鎘半導體納米線。
9.一種光電探測器的制備方法，其特征在于，包括：
S11：在襯底上沉積一金屬催化劑薄膜；
S12：在保護氣存在下，均勻混合硫化鎘和硒化鎘；
S13：將步驟S11的襯底和混合的硫化鎘與硒化鎘進行加溫，通過化學氣相沉積方法得到納米線，并在保護氣流下快速冷卻至室溫；
S14：將一維硫硒化鎘半導體納米線的襯底進行機械剝離，轉移一維硫硒化鎘半導體納米線到SiO2襯底上；
S15：在納米線兩端通過光刻工藝制備電極。
10.根據權利要求9所述的光電探測器的制備方法，其特征在于，所述電極為金，所述電極薄膜厚度為250nm-300nm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
