[發明專利]一種基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列及其設計方法

在審

• 申請號: 202110054148.3
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112906185A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 鳳瑞;鄭宇;周銘;商興蓮;宋金龍
• 申請（專利權）人: 中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06N3/02;G06N3/08
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴;丁浩秋

1.一種基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列設計方法，其特征在于，包括以下步驟：

S01：將多個不同的MEMS慣性傳感器芯片組合排列，形成MEMS慣性傳感器異構陣列；所述MEMS慣性傳感器芯片具有相同的功能，不同的性能指標；

S02：構建輸入與輸出神經網絡模型；

S03：對傳感器異構陣列進行已知輸入條件的標定試驗，得到傳感器異構陣列的試驗數據，對神經網絡模型進行訓練，得到最優參數；

S04：通過訓練完成的輸入與輸出神經網絡模型對各MEMS慣性傳感器芯片的輸出信號進行處理，得到MEMS慣性傳感器異構陣列的測量輸出值。

2.根據權利要求1所述的基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列設計方法，其特征在于，所述步驟S01中MEMS慣性傳感器具有不同的結構，所述MEMS慣性傳感器結構包括敏感機械結構和檢測電路，不同的結構的MEMS慣性傳感器包括不同的敏感機械結構和/或不同的檢測電路。

3.根據權利要求1所述的基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列設計方法，其特征在于，所述步驟S01中每個MEMS慣性傳感器具有不相同的標度因數曲線或溫度曲線或者噪聲頻譜曲線。

4.一種基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列，其特征在于，所述MEMS慣性傳感器異構陣列包括陣列分布的多個不同的MEMS慣性傳感器芯片，所述MEMS慣性傳感器芯片具有相同的功能，不同的性能指標，所述MEMS慣性傳感器異構陣列的輸出端連接AI處理芯片，所述AI處理芯片內置有構建的輸入與輸出神經網絡模型，對傳感器異構陣列進行已知輸入條件的標定試驗，得到傳感器異構陣列的試驗數據，對神經網絡模型進行訓練，得到最優參數；通過訓練完成的輸入與輸出神經網絡模型對各MEMS慣性傳感器芯片的輸出信號進行處理，得到MEMS慣性傳感器異構陣列的測量輸出值。

5.根據權利要求4所述的基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列，其特征在于，所述MEMS慣性傳感器芯片具有不同的結構，所述MEMS慣性傳感器結構包括敏感機械結構和檢測電路，不同的結構的MEMS慣性傳感器包括不同的敏感機械結構和/或不同的檢測電路。

6.根據權利要求4所述的基于人工智能的MEMS慣性傳感器異構陣列，其特征在于，每個MEMS慣性傳感器芯片具有不相同的標度因數曲線或溫度曲線或噪聲頻譜曲線。