[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 202110054109.3
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113176709A
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 松永浩一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理裝置，具備：

疏水化處理部，其構成為進行疏水化處理，在該疏水化處理中通過疏水化處理用的疏水化氣體的蒸鍍來在基板的表面形成疏水化膜；

紫外線照射部，其構成為通過向所述基板的背面中的去除區域照射紫外線，來去除在所述疏水化處理中形成于所述去除區域的所述疏水化膜；以及

樹脂膜形成部，其構成為在去除了所述疏水化膜后的所述去除區域形成減少與所述基板的保持部之間的摩擦的摩擦減少膜。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

還具備涂布膜形成部，該涂布膜形成部構成為通過向形成了所述摩擦減少膜后的所述基板的所述表面供給處理液，在所述表面形成涂布膜。

3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

還具備顯影處理部，該顯影處理部構成為對所述涂布膜被實施曝光處理后的所述基板進行顯影處理，

所述去除區域被設定為所述背面中的周緣部以外的區域。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述紫外線照射部具有：

紫外線照明部，其能夠向包括所述去除區域的區域照射所述紫外線；以及

遮光構件，其配置于所述紫外線照明部與所述背面之間，來遮蔽所述紫外線對所述背面中的所述去除區域以外的區域的照射。

5.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮光構件包括保持臂，該保持臂以覆蓋所述背面的所述去除區域以外的區域的狀態保持所述基板。

6.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述遮光構件包括蓋構件，該蓋構件配置于保持所述基板的保持部與所述紫外線照明部之間。

7.根據權利要求1～3中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述疏水化處理部構成為通過向用于進行所述疏水化處理的處理空間內供給所述疏水化氣體，來對所述表面進行所述疏水化氣體的蒸鍍，

所述樹脂膜形成部構成為通過向所述處理空間內供給用于形成所述摩擦減少膜的處理氣體，來對所述背面進行所述處理氣體的蒸鍍。

8.根據權利要求1～3中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述摩擦減少膜是氟樹脂膜。

9.一種基板處理方法，在基板的背面形成減少與該背面的保持部之間的摩擦的摩擦減少膜，該基板處理方法包括以下步驟：

對所述基板進行疏水化處理，在該疏水化處理中通過疏水化處理用的疏水化氣體的蒸鍍來在所述基板形成疏水化膜；

去除形成于所述基板的所述疏水化膜中的一部分區域；以及

在去除了所述疏水化膜的所述基板的所述一部分區域形成摩擦減少膜。

10.根據權利要求9所述的基板處理方法，其特征在于，

所述摩擦減少膜是氟樹脂膜。