[發明專利]封裝件和半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110053609.5
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113140471A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 吳俊毅;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/538
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

將互連器件放置在第一載體上，其中，所述互連器件包括第一導電連接器和第二導電連接器；

形成所述第一載體上的第一過孔和第二過孔；

形成所述互連器件、所述第一過孔、和所述第二過孔上方的再分布結構，其中，所述再分布結構的第一側連接至所述第一過孔和所述第二過孔；

將互連結構連接至所述再分布結構的第二側，其中，所述互連結構包括有機襯底和多個布線層；

將所述互連結構連接至第二載體；

將第一半導體管芯連接至所述互連器件的所述第一導電連接器和所述第一過孔；以及

將第二半導體管芯連接至所述互連器件的所述第二導電連接器和所述第二過孔，其中，所述第二半導體管芯通過所述互連器件電連接至所述第一半導體管芯。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成所述第一載體上方的模制化合物，所述模制化合物圍繞所述互連器件、所述第一過孔、和所述第二過孔。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：將集成電壓調節器(IVR)管芯放置在所述第一載體上，并且還包括將所述第一半導體管芯連接至所述集成電壓調節器。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成所述第一載體上的晶種層，并且實施回流工藝，以使所述第一導電連接器和所述第二導電連接器接合至所述晶種層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一半導體管芯在所述互連器件上方延伸，并且其中，所述第二半導體管芯在所述互連器件上方延伸。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成位于所述互連器件和所述第一載體之間的底部填充劑。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述再分布結構包括：形成模制化合物層和延伸穿過所述模制化合物層的再分布層。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：形成所述互連器件、所述第一過孔、和所述第二過孔上方的金屬化圖案，其中，所述金屬化圖案位于所述第一半導體管芯和所述互連器件之間。

9.一種半導體器件，包括：

互連器件，連接至再分布結構，其中，所述互連器件包括導電布線，所述導電布線連接至設置在所述互連器件的第一側上的多個導電連接器；

模制材料，至少橫向地圍繞所述互連器件；

金屬化圖案，位于所述模制材料和所述互連器件的所述第一側上方，其中，所述金屬化圖案電連接至所述多個導電連接器；

多個第一外部連接器，連接至所述金屬化圖案；以及

多個半導體器件，連接至所述多個第一外部連接器。

10.一種封裝件，包括：

再分布結構，包括多個絕緣層和多個再分布層；

第一模制化合物層，位于所述再分布結構上；

多個過孔，位于所述第一模制化合物層內；

多個互連器件，位于所述第一模制化合物層內，其中，每個互連器件包括多個接觸件；

介電層，覆蓋所述第一模制化合物層、所述過孔、和所述多個互連器件；以及

多個半導體器件，位于所述介電層上方，其中，所述多個半導體器件穿過所述介電層電連接至所述過孔，并且穿過所述介電層電連接至所述多個互連器件的所述多個接觸件，其中，所述多個半導體器件中的至少兩個半導體器件通過所述多個互連器件中的至少一個互連器件電連接。