[發明專利]一種p型Cu2Te-Ag2Te熱電材料及其制備方法有效
| 申請號: | 202110053422.5 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN112802955B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 黃丹丹;韓薷墨;王瑤 | 申請(專利權)人: | 廣西大學 |
| 主分類號: | H10N10/852 | 分類號: | H10N10/852;H10N10/01 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;侯柏龍 |
| 地址: | 530000 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cu2te ag2te 熱電 材料 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種p型Cusubgt;2/subgt;Te?Agsubgt;2/subgt;Te熱電材料,該熱電材料的化學式為Agsubgt;X/subgt;Cusubgt;2?X/subgt;Te,其中x=0.1?0.9。該Cusubgt;2/subgt;Te?Agsubgt;2/subgt;Te熱電材料屬于p型熱電材料,在Cusubgt;2/subgt;Te合金中摻雜Agsubgt;2/subgt;Te,降低熱導率,增加塞貝克系數,在較低溫度下,具有較高的熱電性能,其無量綱熱電優值zT在523K高達1.51,在523?723K之間zT的均值為1.43。本發明還提供一種p型Cusubgt;2/subgt;Te?Agsubgt;2/subgt;Te熱電材料的制備方法,通過熔鑄?熱處理來提高p型Cusubgt;2/subgt;Te?Agsubgt;2/subgt;Te的熱電性能,制備方法工藝簡單,操作性強,可重復性高,具有很強的應用前景。
技術領域
本發明涉及新能源材料技術領域,更具體地涉及一種p型Cu2Te-Ag2Te熱電材料及其制備方法。
背景技術
現代化經濟體系給人們的生活帶來極大的便利,這種經濟效應所帶來的便利得益于化石能源的廣泛應用,隨著人口密度的增長,化石燃料所引發的能源危機問題日益嚴峻,尋找替代煤炭、石油、天然氣等化石能源成為一種迫切的需要,開發與使用可再生能源已經成為當下推動經濟發展的創新型戰略。熱電材料作為一種新型的清潔能源材料,能夠實現熱能與電能之間的相互轉換,同時還具有體積小,無噪聲、壽命長、對環境不產生任何污染等優點。因而在航空航天探測,工業廢熱二次利用,解決金屬氧化物半導體芯片熱問題等方面,有著廣闊的應用前景和發展空間。
熱電材料的性能主要由無量綱熱電優值zT來衡量,其表達式為zT=σS2T/κ,其中:σ為電導率,S為塞貝克系數,T為絕對溫度,κ是熱導率。從上述表達式可知,選擇具有高S、σ值和低的κ值材料從理論上能夠獲得好的熱電性能。然而這三個參數是相互制約的,修改其中一個參數往往會導致其他參數的非協同變化,很大程度上限制了材料的熱電性能的優化及其應用。所以,尋找有效提高zT值一直是熱電領域的研究目標。
超離子導體具有液體聲子輸運和晶體載流子輸運的特點,是備受關注的熱電材料之一。Cu2X(X=S,Se,Te)是最早提出的一類超離子導體熱電材料,其導熱系數相對較低,zT值高,如Cu2S(1.7-1.9),Cu2Se(1.5-2.3),Cu2Te(0.4-1.1)。然而Cu2Te的zT值遠低于Cu2S和Cu2Se。眾所周知,Te的電負性較小,Cu-Te之間的化學鍵要比Cu2S和Cu2Se的離子少,理論上擁有更好的電運輸性能,這與實際情況相悖。Te原子相對于S或者Se原子更重,晶格熱導率也相對較低。綜合電導與熱導兩個方面分析,在提升熱電性能方面,Cu2Te擁有一個良好的發展前景。造成Cu2Te性能異常主要是由于Te元素極易揮發,若采用放電等離子燒結(SPS)制備樣品的過程中,成分易發生偏移。如中國專利CN110690341A公開一種熱電材料及其制備方法,具體組成為Cu1-xAgxGa1-yInyTe2的p型熱電材料,在773K時zT達1.64,達到zT峰值所需溫度過高,且由于運用SPS燒結方法,導致所制備合金成分易發生偏移,在523-673K的溫度區間內zT最大值小于1.2,無法實現超離子導體在低溫范圍內的應用。
因此,有必要開發一種p型Cu2Te-Ag2Te熱電材料及其制備方法以解決上述技術缺陷。
發明內容
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣西大學,未經廣西大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110053422.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





