[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110052800.8
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113140518A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 原田正剛
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L23/053;H01L23/31;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

基板；

半導體芯片，其設置于所述基板之上；

殼體，其具有壁部分和檐部，該壁部分設置于所述基板之上，將所述半導體芯片包圍，該檐部從所述壁部分向被所述壁部分包圍的區域的內側凸出；以及

樹脂，其填充被所述壁部分包圍的區域，

所述檐部具有上表面和斜面，該斜面設置于所述上表面的下方，離所述檐部的前端越遠則與所述基板的距離越近，在該檐部形成從所述斜面貫通至所述上表面的貫通孔，

所述貫通孔從所述斜面垂直地延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述貫通孔由第1部分和第2部分形成，該第1部分從所述斜面垂直地延伸，該第2部分相對于所述第1部分向所述檐部的前端側傾斜，延伸至所述上表面。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2部分與所述上表面垂直。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1部分與所述第2部分所成的角是鈍角。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述貫通孔的所述斜面側，形成所述貫通孔的入口的所述檐部的邊緣被倒圓。

6.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

基板；

半導體芯片，其設置于所述基板之上；

殼體，其具有壁部分和檐部，該壁部分設置于所述基板之上，將所述半導體芯片包圍，該檐部從所述壁部分向被所述壁部分包圍的區域的內側凸出；以及

樹脂，其填充被所述壁部分包圍的區域，

所述檐部具有上表面和在所述上表面的下方設置的下表面，在所述檐部形成從所述下表面貫通至所述上表面的貫通孔，

所述貫通孔由第1部分和第2部分形成，該第1部分從所述下表面延伸，離所述下表面越遠則寬度越窄，該第2部分與所述第1部分相比形成于所述上表面側，

所述檐部的形成所述第2部分的側面相對于所述檐部的形成所述第1部分的側面傾斜。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2部分的寬度均勻。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述下表面是離所述檐部的前端越遠則與所述基板的距離越近的斜面。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述貫通孔的所述下表面側，形成所述貫通孔的入口的所述檐部的邊緣被倒圓。

10.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

基板；

半導體芯片，其設置于所述基板之上；

殼體，其具有壁部分和檐部，該壁部分設置于所述基板之上，將所述半導體芯片包圍，該檐部從所述壁部分向被所述壁部分包圍的區域的內側凸出；以及

樹脂，其填充被所述壁部分包圍的區域，

所述檐部具有上表面和在所述上表面的下方設置的下表面，在所述檐部形成從所述下表面貫通至所述上表面的貫通孔，

在所述貫通孔的所述下表面側，形成所述貫通孔的入口的所述檐部的邊緣被倒圓。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體芯片由寬帶隙半導體形成。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體是碳化硅、氮化鎵類材料或者金剛石。