[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110052251.4
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN113140581A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 許家榮;魏嘉余;李國政;陳英豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

一第一元件，位于一基材中；以及

一間隙填充層，其中：

該間隙填充層的一第一部分覆蓋該第一元件；

該間隙填充層的該第一部分具有一錐形側壁；以及

該基材的一第一部分將該間隙填充層的該第一部分與該第一元件分開。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該基材的該第一部分具有一第一錐形側壁，并且該間隙填充層的該第一部分的該錐形側壁與該第一錐形側壁對齊。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于：

該間隙填充層的一第二部分覆蓋該第一元件；

該間隙填充層的該第二部分具有一錐形側壁；以及

該基材的該第一部分具有一第二錐形側壁，其中該間隙填充層的該第二部分的該錐形側壁與該第二錐形側壁對齊。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：

該間隙填充層的一第二部分與該第一元件橫向偏移；以及

該基材的一第二部分將該間隙填充層的該第二部分與該第一元件分開。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，包含：

在該基材的該第一部分和該間隙填充層的該第一部分之間的一緩沖層。

6.一種半導體結構，其特征在于，包含：

一第一元件，位于一基材中；以及

一間隙填充層，其中：

該間隙填充層的一第一部分覆蓋該第一元件；

該間隙填充層的一第二部分與該第一元件橫向偏移；以及

該基材的一第一部分將該間隙填充層的該第二部分與該第一元件分開。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，包含：

一第二元件，位于該基材中，其中：

該間隙填充層的該第二部分與該第二元件橫向偏移；以及

該間隙填充層的該第二部分在該第一元件和該第二元件之間。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，至少以下之一：

該第一元件是一第一光電二極管；或者

該第二元件是一第二光電二極管。

9.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一凹槽于一基材中，其中該第一凹槽覆蓋該基材中的一第一元件；

形成一第一溝槽于該基材中，其中該第一溝槽在該基材中的該第一元件和一第二元件之間；以及

形成一間隙填充層于該第一凹槽和該第一溝槽中，使得該間隙填充層的一第一部分覆蓋該第一元件，并且該間隙填充層的一第二部分在該第一元件和該第二元件之間。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，形成該第一凹槽包含：

形成一硬遮罩層于該基材上；

圖案化該硬遮罩層以產生一圖案化的硬遮罩層；以及

使用該圖案化的硬遮罩層蝕刻該基材以形成該第一凹槽。