[發明專利]一種PCB電路板的制備方法有效
| 申請號: | 202110052241.0 | 申請日: | 2021-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN112911833B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 何建芬 | 申請(專利權)人: | 揚宣電子(清遠)有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/42 | 分類號: | H05K3/42;H05K3/00 |
| 代理公司: | 北京精金石知識產權代理有限公司 11470 | 代理人: | 姜艷華 |
| 地址: | 511500 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pcb 電路板 制備 方法 | ||
1.一種PCB電路板的制備方法,其特征在于,包括:
步驟1:在工作臺上對基板進行鉆孔,鉆出塞位孔和非塞位孔;
步驟2:對所述基板、所述塞位孔內壁和所述非塞位孔內壁進行鍍銅;
步驟3:采用樹脂填充各所述塞位孔,中控模塊根據各塞位孔內的樹脂的液面高度判定是否對塞位孔完成填充并針對未完成填充的塞位孔內的樹脂進行對應處理;
步驟4:對所述基板進行烘干以使各所述塞位孔內的樹脂固化;
步驟5:對所述基板進行圖形轉移;
步驟6:對圖形轉移后的所述基板進行蝕刻以形成導電線路;
所述中控模塊根據基板的尺寸確定所述塞位孔的孔徑,再根據所述塞位孔的孔徑對基板進行鉆孔,并根據所述塞位孔的孔徑確定樹脂填充容積對塞位孔進行填充,樹脂填充完成后,所述中控模塊通過將樹脂填充高度與基板厚度進行比對,并根據比對結果對所述塞位孔進行二次填充或吸取溢出樹脂;
所述中控模塊中設置有預設基板尺寸矩陣A0和預設塞位孔孔徑矩陣R0;
對于所述預設基板尺寸矩陣A0,設定A0(A1,A2,A3,A4),其中,A1為第一預設基板尺寸,A2為第二預設基板尺寸,A3為第三預設基板尺寸,A4為第四預設基板尺寸,各預設基板尺寸按照順序逐漸增加;
對于所述預設塞位孔孔徑矩陣R0,設定R0(R1,R2,R3,R4),其中,R1為第一預設塞位孔孔徑,R2為第二預設塞位孔孔徑,R3為第三預設塞位孔孔徑,R4為第四預設塞位孔孔徑,各預設塞位孔孔徑按照順序逐漸增加;
當所述中控模塊選用預設塞位孔孔徑時,所述中控模塊將實際基板的尺寸A與所述預設基板尺寸矩陣A0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的預設塞位孔孔徑:
當A<A1時,所述中控模塊選用R1作為預設塞位孔孔徑;
當A1≤A<A2時,所述中控模塊選用R2作為預設塞位孔孔徑;
當A2≤A<A3時,所述中控模塊選用R3作為預設塞位孔孔徑;
當A3≤A<A4時,所述中控模塊選用R4作為預設塞位孔孔徑;
所述中控模塊中還設置有預設塞位孔間距矩陣B0和預設塞位孔孔徑調節系數矩陣a0;
對于所述預設塞位孔間距矩陣B0,設定B0(B1,B2,B3,B4),其中,B1為第一預設塞位孔間距,B2為第二預設塞位孔間距,B3為第三預設塞位孔間距,B4為第四預設塞位孔間距,各預設塞位孔間距按照順序逐漸增加;
對于所述預設塞位孔孔徑調節系數矩陣a0,設定a0(a1,a2,a3,a4),其中,a1為第一預設塞位孔孔徑調節系數,a2為第二預設塞位孔孔徑調節系數,a3為第三預設塞位孔孔徑調節系數,a4為第四預設塞位孔孔徑調節系數,各預設塞位孔孔徑調節系數按照順序逐漸增加,0<a1<a2<a3<a4<1;
當所述中控模塊針對選用的塞位孔孔徑Ri進行調節時,設定i=1,2,3,4,所述中控模塊將基板中相鄰塞位孔的實際間距B與所述預設塞位孔間距矩陣B0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的塞位孔孔徑調節系數對Ri進行調節:
當B<B1時,所述中控模塊選用a1對Ri進行調節;
當B1≤B<B2時,所述中控模塊選用a2對Ri進行調節;
當B2≤B<B3時,所述中控模塊選用a3對Ri進行調節;
當B3≤B<B4時,所述中控模塊選用a4對Ri進行調節;
當B≥B4時,所述中控模塊不對Ri進行調節;
當所述中控模塊選用aj對選用的Ri進行調節時,設定j=1,2,3,4,調節后的塞位孔孔徑為Ri’,設定Ri’=Ri×aj;
所述中控模塊中還設置有預設樹脂填充容積矩陣V0,設定V0(V1,V2,V3,V4),其中,V1為第一預設樹脂填充容積,V2為第二預設樹脂填充容積,V3為第三預設樹脂填充容積,V4為第四預設樹脂填充容積,各預設樹脂填充容積按照順序逐漸增加;
當所述中控模塊選用樹脂填充容積時,所述中控模塊將實際選用的塞位孔孔徑Ri’與所述預設塞位孔孔徑矩陣R0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的樹脂填充容積:
當Ri’<R1時,所述中控模塊選用V1作為樹脂填充容積;
當R1≤Ri’<R2時,所述中控模塊選用V2作為樹脂填充容積;
當R2≤Ri’<R3時,所述中控模塊選用V3作為樹脂填充容積;
當R3≤Ri’<R4時,所述中控模塊選用V4作為樹脂填充容積;
所述中控模塊中還設置有預設基板厚度矩陣C0和預設樹脂填充容積調節系數矩陣b0;
對于所述預設基板厚度矩陣C0,設定C0(C1,C2,C3,C4),其中,C1為第一預設基板厚度,C2為第二預設基板厚度,C3為第三預設基板厚度,C4為第四預設基板厚度,各預設基板厚度按照順序逐漸增加;
對于所述預設樹脂填充容積調節系數矩陣b0,設定b0(b1,b2,b3,b4),其中,b1為第一預設樹脂填充容積調節系數,b2為第二預設樹脂填充容積調節系數,b3為第三預設樹脂填充容積調節系數,b4為第四預設樹脂填充容積調節系數,各預設樹脂填充容積調節系數按照順序逐漸增加,0<b1<b2<1<b3<b4;
當所述中控模塊針對選用的樹脂填充容積Vi進行調節時,設定i=1,2,3,4,所述中控模塊將實際基板厚度C與所述預設基板厚度矩陣C0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的樹脂填充容積調節系數對Vi進行調節:
當C<C1時,所述中控模塊選用b1對Vi進行調節;
當C1≤C<C2時,所述中控模塊選用b2對Vi進行調節;
當C2≤C<C3時,不調節;
當C3≤C<C4時,所述中控模塊選用b3對Vi進行調節;
當C≥C4時,所述中控模塊選用b4對Vi進行調節;
當所述中控模塊選用bj對選用的Vi進行調節時,設定j=1,2,3,4,調節后的樹脂填充容積為Vi’,設定Vi’=Vi×bj;
所述中控模塊中還設置有預設樹脂粘度矩陣z0和預設樹脂填充容積調節系數修正系數矩陣α0;
對于所述預設樹脂粘度矩陣z0,設定z0(z1,z2,z3,z4),其中,z1為第一預設樹脂粘度,z2為第二預設樹脂粘度,z3為第三預設樹脂粘度,z4為第四預設樹脂粘度,各預設樹脂粘度按照順序逐漸增加;
對于所述預設樹脂填充容積調節系數修正系數矩陣α0,設定α0(α1,α2,α3,α4),其中,α1為第一預設樹脂填充容積調節系數修正系數,α2為第二預設樹脂填充容積調節系數修正系數,α3為第三預設樹脂填充容積調節系數修正系數,α4為第四預設樹脂填充容積調節系數修正系數,各預設樹脂填充容積調節系數修正系數按照順序逐漸增加,0<α1<α2<α3<α4<1;
當所述中控模塊針對選用的樹脂填充容積調節系數bj進行修正時,所述中控模塊將實際使用樹脂的粘度z與所述預設樹脂粘度矩陣z0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的樹脂填充容積調節系數修正系數對bj進行修正:
當z<z1時,所述中控模塊選用α1對bj進行修正;
當z1≤z<z2時,所述中控模塊選用α2對bj進行修正;
當z2≤z<z3時,所述中控模塊選用α3對bj進行修正;
當z3≤z<z4時,所述中控模塊選用α4對bj進行修正;
當z≥z4時,不調節;
當所述中控模塊選用αk對選用的bj進行修正時,設定k=1,2,3,4,修正后的樹脂填充容積調節系數為bj’,設定bj’=bj×αk;
所述中控模塊中還設置有樹脂填充高度H和樹脂填充高度差值△H,設定△H=H-C;
當所述工作臺對所述塞位孔填充完成時,所述中控模塊根據樹脂填充高度差值△H的大小進行判定:
當△H<0時,所述中控模塊判定對所述塞位孔進行二次填充;
當△H=0時,判定填充完成;
當△H>0時,所述中控模塊判定對所述塞位孔進行吸取樹脂;
所述中控模塊中還設置有預設樹脂虧欠高度矩陣F0和預設樹脂二次填充量矩陣M0;
對于所述預設樹脂虧欠高度矩陣F0,設定F0(F1,F2,F3,F4),其中,F1為第一預設樹脂虧欠高度,F2為第二預設樹脂虧欠高度,F3為第三預設樹脂虧欠高度,F4為第四預設樹脂虧欠高度,各預設樹脂虧欠高度按照順序逐漸增加;
對于所述預設樹脂二次填充量矩陣M0,設定M0(M1,M2,M3,M4),其中,M1為第一預設樹脂二次填充量,M2為第二預設樹脂二次填充量,M3為第三預設樹脂二次填充量,M4為第四預設樹脂二次填充量,各預設樹脂二次填充量按照順序逐漸增加;
當所述中控模塊選用樹脂二次填充量時,設定F=C-H,所述中控模塊將實際樹脂虧欠高度F與所述預設樹脂虧欠高度矩陣F0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的樹脂二次填充量:
當F<F1時,所述中控模塊選用M1作為樹脂二次填充量;
當F1≤F<F2時,所述中控模塊選用M2作為樹脂二次填充量;
當F2≤F<F3時,所述中控模塊選用M3作為樹脂二次填充量;
當F3≤F<F4時,所述中控模塊選用M4作為樹脂二次填充量;
所述中控模塊中還設置有預設樹脂溢出高度矩陣G0和預設樹脂吸取量矩陣N0;
對于所述預設樹脂溢出高度矩陣G0,設定G0(G1,G2,G3,G4),其中,G1為第一預設樹脂溢出高度,G2為第二預設樹脂溢出高度,G3為第三預設樹脂溢出高度,G4為第四預設樹脂溢出高度,各預設樹脂溢出高度按照順序逐漸增加;
對于所述預設樹脂吸取量矩陣N0,設定N0(N1,N2,N3,N4),其中,N1為第一預設樹脂吸取量,N2為第二預設樹脂吸取量,N3為第三預設樹脂吸取量,N4為第四預設樹脂吸取量,各預設樹脂吸取量按照順序逐漸增加;
當所述中控模塊選用樹脂吸取量時,設定G=H-C,所述中控模塊將實際樹脂溢出高度G與所述預設樹脂溢出高度矩陣G0中的參數進行比對,并根據比對結果選用對應的樹脂吸取量:
當G<G1時,所述中控模塊選用N1作為樹脂吸取量;
當G1≤G<G2時,所述中控模塊選用N2作為樹脂吸取量;
當G2≤G<G3時,所述中控模塊選用N3作為樹脂吸取量;
當G3≤G<G4時,所述中控模塊選用N4作為樹脂吸取量。
2.根據權利要求1所述的PCB電路板的制備方法,其特征在于,所述步驟4中,對所述基板進行烘干時,烘干溫度為120-140℃。
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