[發(fā)明專利]基于量子點(diǎn)的殼芯結(jié)構(gòu)納米線陣列太陽(yáng)能電池

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110051938.6
• 申請(qǐng)日: 2021-01-15
• 公開（公告）號(hào): CN112909108A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 符春林;何云飛;蔡葦;高榮禮;王振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶科技學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L31/0256
• 分類號(hào): H01L31/0256;H01L31/0352;H01L31/0216
• 代理公司: 重慶蘊(yùn)博君晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50223
• 代理人: 韓慧芳

1.基于量子點(diǎn)的殼芯結(jié)構(gòu)納米線陣列太陽(yáng)能電池，其特征在于：包括設(shè)置于底層的底電極，所述底電極的上表面沿豎直方向生長(zhǎng)有由傳輸材料制成的若干納米線，呈陣列布置，納米線陣列形成太陽(yáng)能電池的芯層，所述芯層為第一傳輸層，每根納米線的表面有均勻分布的若干量子點(diǎn)，若干量子點(diǎn)形成量子點(diǎn)層，作為太陽(yáng)能電池的吸光層，受光激發(fā)產(chǎn)生電子、空穴，所述量子點(diǎn)層和納米線共同形成量子點(diǎn)納米線陣列，量子點(diǎn)納米線陣列外部設(shè)有殼層，所述殼層為第二傳輸層，與量子點(diǎn)納米線陣列共同構(gòu)成殼芯結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列，所述第一傳輸層用于傳輸電子、空穴中的一種，第二傳輸層傳輸?shù)妮d流子與第一傳輸層相反，所述量子點(diǎn)層包裹在第一傳輸層和第二傳輸層之間，將第一傳輸層和第二傳輸層分隔開，用于減少傳輸層之間直接接觸引起載流子復(fù)合，所述殼芯結(jié)構(gòu)復(fù)合納米線陣列的上方覆蓋有上電極，組裝形成基于量子點(diǎn)的殼芯結(jié)構(gòu)納米線陣列太陽(yáng)能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于量子點(diǎn)的殼芯結(jié)構(gòu)納米線陣列太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述第一傳輸層為電子傳輸層，第二傳輸層為空穴傳輸層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于量子點(diǎn)的殼芯結(jié)構(gòu)納米線陣列太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述第一傳輸層為空穴傳輸層，第二傳輸層為電子傳輸層。