[發明專利]化學機械研磨方法

有效

• 申請號: 202110051576.0
• 申請日: 2021-01-15
• 公開（公告）號: CN112366134B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 陳筍弘;白向陽;程建秀;曾盟善;王松
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種化學機械研磨方法，其特征在于，包括：

提供一測試晶圓；

在所述測試晶圓上形成測試層；

對所述測試層執行化學機械研磨工藝；

測量所述測試層的第一外圍區域的厚度與第一中心區域的厚度，其中，測量所述測試層的第一外圍區域的厚度與第一中心區域的厚度的方法包括：測量所述測試層的第一外圍區域的多個點的厚度，并計算所述測試層的第一外圍區域的多個點的厚度平均值，以及測量所述測試層的第一中心區域的厚度，并計算所述測試層的第一中心區域的多個點的厚度平均值；

根據所述測試層的第一外圍區域的厚度與第一中心區域的厚度預設產品層工藝條件；

提供一產品晶圓；

根據預設的產品層工藝條件在所述產品晶圓上形成產品層，所述測試層的第一外圍區域的厚度等于第一中心區域的厚度時則所述產品層的第二外圍區域的厚度等于第二中心區域的厚度，所述測試層的第一外圍區域的厚度大于第一中心區域的厚度時則所述產品層的第二外圍區域的厚度小于第二中心區域的厚度，其中，所述產品層工藝條件為所述產品層沉積工藝的溫度，并通過控制產品層沉積工藝中產品晶圓的第三外圍區域與第三中心區域的溫度差值來控制所述產品層的第二外圍區域與第二中心區域的厚度差值，通過控制產品層沉積工藝中產品晶圓的第三外圍區域與第三中心區域的溫度差值的方法包括：獲取所述測試層的第一外圍區域的厚度與第一中心區域的厚度的差值，以得到一厚度差值；獲取所述測試層的厚度與所述沉積工藝的溫度的對應關系，以得到第一系數；獲取所述厚度差值與所述第一系數的比值，以得到所述溫度差值，產品晶圓的第三外圍區域的溫度與所述第三中心區域的溫度具有所述溫度差值，則所述產品層的第二外圍區域的厚度與所述第二中心區域的厚度之間具有所述厚度差值；其中，產品晶圓的第三外圍區域的溫度等于第三中心區域的溫度則所述產品層的第二外圍區域的厚度等于第二中心區域的厚度，產品晶圓的第三外圍區域的溫度小于第三中心區域的溫度則所述產品層的第二外圍區域的厚度小于第二中心區域的厚度；以及，

對所述產品層執行化學機械研磨工藝。

2.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述測試層與所述產品層的材質相同。

3.如權利要求2所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述測試層與所述產品層的材質均為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

4.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，通過厚度測量系統測量所述測試層的第一外圍區域的厚度與第一中心區域的厚度。

5.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，所述第一外圍區域和所述第二外圍區域均呈圓環形，且所述第一外圍區域包圍所述第一中心區域，所述第二外圍區域包圍所述第二中心區域。

6.如權利要求1所述的化學機械研磨方法，其特征在于，形成所述產品層的工藝為化學氣相沉積工藝。