[發明專利]一種寬溫度范圍工作環境下芯片測試方法有效
| 申請號: | 202110051028.8 | 申請日: | 2021-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN112858885B | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發明(設計)人: | 于海超 | 申請(專利權)人: | 強一半導體(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28;G01R1/067;G01R1/073 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溫度 范圍 工作 環境 芯片 測試 方法 | ||
1.一種寬溫度范圍工作環境下芯片測試方法,其特征在于,包括常規溫度工作環境下芯片測試方法和超高溫工作環境下芯片測試方法;
所述常規溫度工作環境是指工作溫度在50攝氏度到150攝氏度之間,探針(1-4)仍能夠發生彈性形變的溫度范圍,該測試方法步驟如下:
步驟a、調整中間導板(1-2),使中間導板(1-2)擠壓到中部探針(1-4-2)側部,使探針(1-4)在中間導板(1-2)的作用下,向一側彎曲;
步驟b、將探針(1-4)接觸到裸芯的焊盤或觸點上;
步驟c、用力擠壓探針(1-4)與裸芯,使得在所有探針(1-4)具有不同彎曲程度的情況下,裸芯上所有待檢測的焊盤或觸點均有探針(1-4)接觸;
步驟d、向裸芯寫入測試程序,完成測試;
所述超高溫工作環境是指工作溫度在150攝氏度以上,探針(1-4)不再發生彈性形變的溫度范圍,該測試方法步驟如下:
步驟a、調整中間導板(1-2),使探針(1-4)不發生彎曲;
步驟b、將探針(1-4)接觸到裸芯的焊盤或觸點上;
步驟c、將環境溫度調整到超高溫工作環境溫度,使中部探針(1-4-2)與上部探針(1-4-1)和下部探針(1-4-3)之間由過渡配合轉為間隙配合;
步驟d、用力擠壓探針(1-4)與裸芯,使得所有探針(1-4)在不彎曲的情況下,裸芯上所有待檢測的焊盤或觸點均有探針(1-4)接觸;
步驟e、向裸芯寫入測試程序,完成測試;
所述寬溫度范圍工作環境下芯片測試方法在面向超高溫工作環境下芯片測試的MEMS探針結構上實現,所述面向超高溫工作環境下芯片測試的MEMS探針結構從上到下依次設置PCB板(3)、轉接板(2)和復合探針頭結構(1),所述復合探針頭結構(1)包括上導板(1-1),中間導板(1-2)和下導板(1-3),探針(1-4)從轉接板(2)開始,穿過上導板(1-1)和中間導板(1-2)后,從下導板(1-3)伸出;其中,上導板(1-1),中間導板(1-2)和下導板(1-3)由絕緣材料制成,探針(1-4)由金屬導電材料制成;
所述探針(1-4)包括安裝在上導板(1-1)的上部探針(1-4-1),穿過中間導板(1-2)的中部探針(1-4-2)和安裝在下導板(1-3)的下部探針(1-4-3);
所述中間導板(1-2)上設置有通槽,中部探針(1-4-2)從通槽內穿過中間導板(1-2),所述中間導板(1-2)能夠在垂直探針(1-4)的平面內運動,確保探針(1-4)能夠向同一方向彎曲且不短路;
各零部件受熱膨脹特性為,上導板(1-1),中間導板(1-2)和下導板(1-3)在100攝氏度到200攝氏度之間,體積隨溫度的變化小于相鄰兩個探針之間距離的1/10;上部探針(1-4-1)和下部探針(1-4-3)在100攝氏度到200攝氏度之間,具有熱脹冷縮特性;中部探針(1-4-2)在100攝氏度到200攝氏度之間,具有熱縮冷脹特性;
所述上部探針(1-4-1)的底部設置有孔,所述下部探針(1-4-3)的頂部設置有孔,中部探針(1-4-2)分別插入上部探針(1-4-1)的孔和下部探針(1-4-3)的孔中,形成兩套孔軸配合結構,在100攝氏度以下,中部探針(1-4-2)與上部探針(1-4-1)和下部探針(1-4-3)之間為過渡配合;在100攝氏度向200攝氏度變化時,中部探針(1-4-2)與上部探針(1-4-1)和下部探針(1-4-3)之間由過渡配合轉為間隙配合。
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