[發(fā)明專利]一種修正氧化孔徑的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110050480.2
• 申請(qǐng)日: 2021-01-14
• 公開（公告）號(hào): CN112864804A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方照詒;潘德烈;郭浩中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市德明利光電有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/183
• 分類號(hào): H01S5/183
• 代理公司: 深圳市道勤知酷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44439
• 代理人: 何兵;呂詩(shī)

1.一種修正氧化孔徑的方法，氧化孔未經(jīng)修正直接氧化后在(111)晶面方向的俯視圖呈類等邊三角形，其特征在于，所述方法包括：

在側(cè)向氧化之前，對(duì)圓形臺(tái)面結(jié)構(gòu)的晶面快速氧化方向上的側(cè)壁進(jìn)行鍍膜、沉積或保留原來外延材料形成擴(kuò)散障礙層，補(bǔ)償修正側(cè)壁各方向氧化速率的差異，補(bǔ)償修正方位為未經(jīng)修正的原類三角形孔徑的三個(gè)邊方向；

對(duì)已具有擴(kuò)散障礙層的臺(tái)面結(jié)構(gòu)側(cè)壁進(jìn)行擴(kuò)散及氧化，形成氧化孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述晶面為(111)晶面偏角15度以內(nèi)的晶面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述擴(kuò)散障礙層為環(huán)繞氧化層區(qū)域三角陣列設(shè)置的三個(gè)不完整環(huán)形區(qū)域，其中，三個(gè)不完整環(huán)形區(qū)域?yàn)椋号c氧化層區(qū)域同心且半徑為(d+R)的圓被三個(gè)環(huán)繞氧化層區(qū)域、與氧化層區(qū)域相切且半徑與氧化層區(qū)域相等圓所組成的三角陣列割去，所余留的三個(gè)不完整環(huán)形，d為擴(kuò)散障礙層之厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，d滿足d＝(R_c-R_s)*K_d/K_o，未經(jīng)修正直接氧化的氧化孔的中心距離邊的距離為R_s，未經(jīng)修正直接氧化的氧化孔的中心距離角的距離為R_c，K_d為水汽在擴(kuò)散障礙層內(nèi)的擴(kuò)散系數(shù)，K_o為水汽在半導(dǎo)體氧化層內(nèi)的擴(kuò)散系數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，其中，d、R_s、R_c、R和r滿足：(R-R_s)/(R-R_c)＝1+(d/K_d)/[(R-r)/K_o+(d/K_d)]。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述圓形臺(tái)面結(jié)構(gòu)及氧化層區(qū)域的外圓的半徑為R，理想目標(biāo)氧化孔徑的期待半徑為r，其中，R與r之間的關(guān)系滿足：1R/r≤5。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，r≤10μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述圓形臺(tái)面結(jié)構(gòu)利用光刻工藝定義刻蝕區(qū)域通過刻蝕形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述擴(kuò)散障礙層的材料包括GaAs、AlGaAs、Ga₂O₃、Al₂O₃、AlN、BN、Si₃N₄、SiO₂、ZrO₂、BCB、PI、SiLK^TM、HSQ、MSQ、HOSP^TM、Black中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，形成所述擴(kuò)散障礙層的方法包含但不限于CVD、ALD、PECVD、MOCVD、Sputtering、Spin-Coating。