[發(fā)明專利]一種碳化硅晶錠的初步篩選方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110050329.9 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112899788B | 公開（公告）日： | 2022-04-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李帥;黃長航;趙建國;李函朔 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東天岳先進科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/00 | 分類號： | C30B33/00;C30B29/36;B24B19/22;B28D5/02;B07C5/34 |
| 代理公司： | 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 馮妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳化硅 初步 篩選 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種碳化硅晶錠的初步篩選方法及裝置，該方法包括以下步驟：(1)對碳化硅晶錠的表面進行打磨或切割處理，得到透明或半透明的碳化硅晶錠；(2)利用紫外光源照射碳化硅晶錠，得到碳化硅晶錠的透光波長，比較所述透光波長與標準顏色波長范圍的大小判斷微管密度或包裹體密度是否合格，篩選獲得微管密度或包裹體密度合格的碳化硅晶錠，進行下一步的操作；所述標準顏色波長是微管和包裹體密度均合格的標準碳化硅晶錠用同一紫外光源照射后具有的透光顏色波長的范圍。通過對碳化硅晶錠打磨切割處理后，提高了可視化程度，且利用紫外照射，篩選獲得微管密度或包裹體密度合格的碳化硅晶錠，提高了初篩的準確性，降低了后續(xù)加工和檢測的工作強度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及一種碳化硅晶錠的初步篩選方法及裝置，屬于半導(dǎo)體材料加工處理設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
碳化硅晶錠在制備完成后，需要經(jīng)過后續(xù)的加工、質(zhì)量檢測等步驟，檢測質(zhì)量合格后的產(chǎn)品才能進一步應(yīng)用。由于在加工時，需要對晶錠進行切片，不僅工作量大；且后續(xù)如果質(zhì)量檢測不合格的殘次品，由于已經(jīng)切片，限制了殘次品的整體利用。
碳化硅晶錠在開爐后可進行人為判斷，進行初步篩選，去除明顯不合格的產(chǎn)品，可減少后續(xù)的加工、質(zhì)量檢測的工作量。但是對于碳化硅晶錠可視性較低，人為判斷較為困難，同時易出現(xiàn)判斷錯誤。現(xiàn)有的需要對碳化硅晶錠經(jīng)過加工切片處理，得到的晶片全部進入質(zhì)量檢測，去掉檢測不合格產(chǎn)品，保留檢測合格產(chǎn)品，工作強度較大。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N碳化硅晶錠的初步篩選方法及裝置，通過對碳化硅晶錠打磨切割處理后，提高了可視化程度，且利用紫外照射，篩選獲得微管密度或包裹體密度合格的碳化硅晶錠，提高了初篩的準確性，降低了后續(xù)加工和檢測的工作強度。
根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種碳化硅晶錠的初步篩選方法，該方法包括以下步驟：
(1)對碳化硅晶錠的表面進行打磨或切割處理，得到透明或半透明的碳化硅晶錠；
(2)利用紫外光源照射步驟(1)得到的碳化硅晶錠，得到碳化硅晶錠的透光波長，比較所述透光波長與標準顏色波長閾值的大小判斷微管密度或包裹體密度是否合格，篩選獲得微管密度或包裹體密度合格的碳化硅晶錠，進行下一步的操作；所述標準顏色波長是微管和包裹體密度均合格的標準碳化硅晶錠用同一紫外光源照射后具有的透光顏色波長的范圍。
進一步的，步驟(2)中，利用顯微鏡獲得碳化硅晶錠的晶面圖，確定晶面圖上微管或包裹體位置區(qū)域，根據(jù)不同的區(qū)域?qū)?yīng)的透光波長，判斷微管或包裹體密度是否合格；
優(yōu)選的，當透過波長為393～400nm時，則判定微管密度不合格；當透過波長為365～375nm時，則判定包裹體密度不合格；當透過波長大于375nm且小于393nm時，則判定微管和包裹體密度均合格。
進一步的，所述微管密度合格的碳化硅晶錠是指微管密度小于等于0.2根/cm2的碳化硅晶錠；
所述包裹體密度合格的碳化硅晶錠是指包裹體密度單位體積上單位面積占比小于20％的碳化硅晶錠；
優(yōu)選的，所述碳化硅晶錠的厚度至少為5mm以上；所述碳化硅晶體選自請4H型碳化硅、6H型碳化硅中的一種或兩種。
進一步的，步驟(2)前，還包括對碳化硅晶錠的多型進行檢測，獲得多型厚度，如果碳化硅晶錠的厚度與多型厚度的差大于等于4mm，則進行下一步的切除多型操作；
如果碳化硅晶錠的厚度與多型厚度的差小于4mm，則判定為不合格產(chǎn)品。
進一步的，使用冷光源照射碳化硅晶錠的一側(cè)面，在碳化硅晶錠的另一側(cè)面，標記出多型的產(chǎn)出位置，測量多型的厚度；
優(yōu)選的，在碳化硅晶錠的另一側(cè)面，用記號筆標記出多型的位置，用測量工具測量出多型的厚度。
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