[發明專利]外延生長鎳酸鑭及鑭鍶錳氧薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 202110049789.X
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112877676A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 王根水;楊柱;郭少波;董顯林
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C23C18/12
• 分類號: C23C18/12;H01B1/08
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優麗

1.一種外延導電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，制備的外延導電氧化物薄膜的化學組成為LaNiO₃或La_0.7Sr_0.3MnO₃，所述制備方法包括：

配制含可溶性高分子聚合物、溶劑、小分子絡合劑和金屬鹽的前驅體溶液，其中，所述金屬鹽包括與所述外延導電氧化物薄膜的化學組成對應的摩爾比的鑭鹽、鎳鹽、鍶鹽及錳鹽；以及將所述前驅體溶液涂覆在基底表面上，將涂覆有所述前驅體溶液的基底在高于350℃且500℃以下的溫度下預燒結后，升溫至600～900℃的溫度進行燒結，得到所述外延導電氧化物薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述前驅體溶液濃度為0.25mol/L以下。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述小分子絡合物與所述金屬鹽中所有金屬離子的摩爾比為1～2：1，所述可溶性高分子聚合物與所述小分子絡合物的質量比為1～2：1。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述可溶性高分子聚合物是含胺基的水溶性聚合物，優選為聚乙烯亞胺、聚丙烯酸、聚吡啶、聚乙烯馬來酸中的至少一種。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述金屬鹽為乙酸鹽、硝酸鹽、氯鹽、溴酸鹽、硫酸鹽或碳酸鹽。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述小分子絡合劑為乙二胺四乙酸或一水合檸檬酸。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述前驅體溶液在基底上的涂覆厚度為10～50nm。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述預燒結包括以0.5～1℃/min速率升溫至高于350℃且500℃以下，保溫1～2小時；所述燒結包括以5～10℃/min速率升溫至600～900℃，保溫1～2小時。

9.一種由權利要求1至8中任一項所述的外延導電氧化物薄膜的制備方法制備的外延導電氧化物薄膜。

10.一種具備權利要求9所述的外延導電氧化物薄膜的器件，所述器件為薄膜電容器、電容器、超級電容器、集成無源器件、DRAM存儲用電容器、層疊電容器、鐵電存儲器用電容器、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、致動器、諧振器、超聲波馬達、電氣開關、光學開關或LC噪聲濾波器元件的復合電子組件。