[發(fā)明專利]阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110049185.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112881753B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 裘安萍;施芹;夏國(guó)明;趙陽(yáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01P15/097 | 分類號(hào): | G01P15/097 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專利中心 32203 | 代理人: | 汪清 |
| 地址: | 210094 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 阻尼 可調(diào) 型硅微 音叉 諧振 加速度計(jì) 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)結(jié)構(gòu),加速度結(jié)構(gòu)設(shè)置在三層單晶硅的中層單晶硅片上,該結(jié)構(gòu)包括質(zhì)量塊、兩個(gè)諧振器、四個(gè)微杠桿放大機(jī)構(gòu)、應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu)、多個(gè)支撐梁、多個(gè)阻尼調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)和多個(gè)固定基座;阻尼調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)均勻布在質(zhì)量塊上;兩個(gè)諧振器關(guān)于x軸對(duì)稱布置在質(zhì)量塊中間,微杠桿放大機(jī)構(gòu)位于兩個(gè)諧振器之間;兩個(gè)諧振器內(nèi)側(cè)的一端分別與兩個(gè)微杠桿的輸出端相連,與同一個(gè)諧振器相連的兩個(gè)微杠桿的支點(diǎn)端連接到同一個(gè)應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu),再與固定基座相連;微杠桿機(jī)構(gòu)的輸入端與質(zhì)量塊相連,質(zhì)量塊通過(guò)支撐梁與固定基座相連,固定基座與上層單晶硅和下層單晶硅的固定基座相連。本發(fā)明減小了頻率的溫度系數(shù),阻尼可調(diào)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)MEMS中的微慣性傳感器技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
硅微加速度計(jì)是典型的MEMS慣性傳感器,其研究始于20世紀(jì)70年代初,現(xiàn)有電容式、壓電式、壓阻式、熱對(duì)流、隧道電流式和諧振式等多種形式。硅微諧振式加速度計(jì)的獨(dú)特特點(diǎn)是其輸出信號(hào)是頻率信號(hào),它的準(zhǔn)數(shù)字量輸出可直接用于復(fù)雜的數(shù)字電路,具有很高的抗干擾能力和穩(wěn)定性,而且免去了其它類型加速度計(jì)在信號(hào)傳遞方面的諸多不便,直接與數(shù)字處理器相連。目前美國(guó)Draper實(shí)驗(yàn)室對(duì)諧振式加速度計(jì)的研究處于國(guó)際領(lǐng)先地位,研制的加速度計(jì)主要應(yīng)用于戰(zhàn)略導(dǎo)彈,零偏月穩(wěn)定性達(dá)2μg,標(biāo)度因數(shù)月穩(wěn)定性達(dá)0.73ppm。因此硅微諧振式加速度計(jì)具有良好的發(fā)展前景。
硅微諧振式加速度計(jì)結(jié)構(gòu)一般由諧振梁和敏感質(zhì)量塊組成,敏感質(zhì)量塊將加速度轉(zhuǎn)換為慣性力,慣性力作用于諧振梁的軸向,使諧振梁的頻率發(fā)生變化,通過(guò)測(cè)試諧振頻率推算出被測(cè)加速度。硅微諧振式加速度計(jì)都采用真空封裝提高Q值,降低其結(jié)構(gòu)噪聲,諧振器Q值一般10萬(wàn)。與此同時(shí),硅微諧振式加速度計(jì)的質(zhì)量塊在敏感軸的Q值也比較大,可達(dá)1~5萬(wàn)。當(dāng)硅微諧振式加速度計(jì)工作環(huán)境存在沖擊或振動(dòng)時(shí),質(zhì)量塊在敏感軸的模態(tài)被激發(fā)后,質(zhì)量塊產(chǎn)生很大的振動(dòng)位移,從而產(chǎn)生很大的輸出,甚至造成結(jié)構(gòu)損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)結(jié)構(gòu),以提高加速度計(jì)抗沖擊能力,減小頻率的溫度系數(shù),實(shí)現(xiàn)阻尼可調(diào)。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案為:
一種阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)結(jié)構(gòu),由上層單晶硅、中間層單晶硅和下層單晶硅構(gòu)成;所述上層單晶硅為布置有信號(hào)輸入、輸出線、吸氣劑以及固定基座的硅微音叉諧振式加速度計(jì)封裝蓋板,所述下層單晶硅為布置有固定基座的硅微音叉諧振式加速度計(jì)襯底,所述中間層單晶硅片上制作有阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)機(jī)械結(jié)構(gòu),中間層單晶硅密封在由上層單晶硅和下層單晶硅形成的密閉空腔中;
所述阻尼可調(diào)型硅微音叉諧振式加速度計(jì)機(jī)械結(jié)構(gòu)包括質(zhì)量塊、兩個(gè)諧振器、四個(gè)微杠桿放大機(jī)構(gòu)、多個(gè)支撐梁、多個(gè)阻尼調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)和多個(gè)固定基座、分別對(duì)應(yīng)于兩個(gè)諧振器的第一應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu)、第二應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu);多個(gè)阻尼調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)均勻布在質(zhì)量塊四周上,用于增大加速度計(jì)在檢測(cè)軸的阻尼系數(shù);兩個(gè)諧振器關(guān)于x軸對(duì)稱布置在質(zhì)量塊中間,四個(gè)微杠桿放大機(jī)構(gòu)位于兩個(gè)諧振器之間,并兩兩關(guān)于x軸和y軸對(duì)稱布置;兩個(gè)諧振器內(nèi)側(cè)的一端分別與兩個(gè)微杠桿的輸出端相連,與同一個(gè)諧振器相連的兩個(gè)微杠桿的支點(diǎn)端連接到同一個(gè)應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu),應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu)再一個(gè)固定基座相連,第二應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu)與另外一個(gè)固定基座相連,第一應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu)以及與其相連的固定基座位于該側(cè)兩個(gè)微杠桿之間,第二應(yīng)力釋放機(jī)構(gòu)以及與其相連的固定基座位于對(duì)應(yīng)側(cè)的兩個(gè)微杠桿之間;微杠桿機(jī)構(gòu)的輸入端與質(zhì)量塊相連,質(zhì)量塊通過(guò)多個(gè)支撐梁和與多個(gè)固定基座相連,所有固定基座均與上層單晶硅和下層單晶硅的固定基座相連,使中間層單晶硅的機(jī)械結(jié)構(gòu)懸空在上層單晶硅與下層單晶硅之間。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,其顯著優(yōu)點(diǎn)是:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京理工大學(xué),未經(jīng)南京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110049185.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





