[發明專利]用于傳感器的透明電極及其制造方法

在審

• 申請號: 202110049044.3
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN113125534A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 金俊亨;池尚胤;樸章雄
• 申請（專利權）人: SK新技術株式會社;延世大學校產學協力團
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;D01F9/08
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 蔣洪之;孫永梅

1.一種制造透明電極的方法，其包括以下步驟：

a)在基材上涂布含有金屬納米線的第一分散液，以形成納米線網格；

b)將含有金屬納米顆粒的第二分散液進行靜電紡絲到所述納米線網格上，以形成納米線網格中混入金屬納米顆粒聚集而成的金屬性纖維的纖維-納米線網格；以及

c)燒結所述纖維-納米線網格。

2.根據權利要求1所述的制造透明電極的方法，其中，所述燒結通過光子燒結或熱處理來進行。

3.根據權利要求1所述的制造透明電極的方法，其中，在所述步驟b)中，靜電紡絲時利用包括內部噴嘴和圍繞所述內部噴嘴的外部噴嘴的同軸雙重噴嘴，通過所述內部噴嘴將所述第二分散液進行紡絲，通過所述外部噴嘴將聚合物溶液進行紡絲，從而形成所述金屬性纖維被聚合物鞘包裹的復合纖維。

4.根據權利要求3所述的制造透明電極的方法，其中，在步驟b)的所述靜電紡絲后，還包括從所述復合纖維去除聚合物鞘的步驟。

5.根據權利要求1所述的制造透明電極的方法，其中，通過步驟c)的燒結，所述金屬性纖維轉化為導電性纖維，并且所述纖維-納米線網格的纖維和納米線之間以及納米線和納米線之間實現熔合。

6.根據權利要求1所述的制造透明電極的方法，其中，在步驟a)中，在所述基材的面積中，作為被所述金屬納米線覆蓋的面積的比例的納米線填充系數為3-11％，作為被所述金屬性纖維覆蓋的面積的比例的纖維填充系數為3-10％，作為被所述纖維-納米線網格覆蓋的面積的比例的網格填充系數為9-13％。

7.根據權利要求2所述的制造透明電極的方法，其中，所述熱處理在150-250℃下進行。

8.根據權利要求2所述的制造透明電極的方法，其中，所述光子燒結通過照射強度為800-1600J/cm²的脈沖型白光來進行。

9.根據權利要求1所述的制造透明電極的方法，其中，將所述金屬性纖維的直徑與所述金屬納米線的直徑之比為10-1000。

10.根據權利要求1所述的制造透明電極的方法，其中，所述金屬性纖維的金屬納米顆粒和所述金屬納米線分別包含銀(Ag)、金(Au)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鐵(Fe)或它們的合金。

11.一種透明電極，其包括：透明薄膜；導電性網格，所述導電性網格位于所述透明薄膜上，并且所述導電性網格中混合存在有金屬納米線和金屬性的導電性纖維，

所述透明薄膜中，作為被所述金屬納米線覆蓋的面積的比例的納米線填充系數為3-11％，作為被所述導電性纖維覆蓋的面積的比例的纖維填充系數為3-10％，作為被所述導電性網格覆蓋的面積的比例的導電性網格填充系數為9-13％。

12.根據權利要求11所述的透明電極，其中，所述透明電極的透光率為90％以上，薄層電阻為1.9Ω/sq以下。

13.根據權利要求11所述的透明電極，其中，所述透明電極以3mm的彎曲半徑進行100000次彎曲試驗時，薄層電阻的增加率為5％以下。

14.一種裝置，其包括權利要求11至13中任一項所述的透明電極。