[發明專利]一種修正氧化孔徑的方法

在審

• 申請號: 202110048910.7
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN112864803A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 方照詒
• 申請（專利權）人: 深圳市德明利光電有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 深圳市道勤知酷知識產權代理事務所(普通合伙) 44439
• 代理人: 何兵;呂詩

1.一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述方法包括：

對經過臺面刻蝕后的圓形臺面結構的晶面快速氧化方向上的側壁進行鍍膜、沉積或保留原來外延材料形成擴散障礙層，補償修正側壁各方向氧化速率的差異；

對已具有擴散障礙層的臺面結構側壁進行擴散及氧化，形成氧化孔。

2.根據權利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述晶面為(100)晶面偏角15度以內的晶面。

3.根據權利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，環繞圓形臺面結構的區域的圓心陣列設置、以圓形臺面結構的外圍圓周與最快擴散速率晶面向的交點為圓心設置四個小圓，小圓與圓形臺面結構的外圍圓周形成公切線，小圓與公切線連接的外輪廓與圓形臺面結構的外圍圓周之間的區域即為擴散障礙層。

4.根據權利要求3所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，未經修正直接氧化的氧化孔的中心距離邊的距離為R_s，未經修正直接氧化的氧化孔的中心距離角的距離為R_c，K_d為水汽在擴散障礙層內的擴散系數，K_o為水汽在半導體氧化層內的擴散系數，其中，小圓的半徑為d，d滿足：d＝(R_c-R_s)*K_d/K_o。

5.根據權利要求4所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述圓形臺面結構及氧化層區域的外圓的半徑為R，理想目標氧化孔徑的期待半徑為r，其中，d、R_s、R_c、R和r滿足：

(R-R_s)/(R-R_c)≈1+K_o*d/K_d(R-r)。

6.根據權利要求5所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，其中，1R/r≤5，R_c≡r,r≤10μm。

7.根據權利要求2所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，補償修正方位為修正前的孔徑的平邊方向。

8.根據權利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述圓形臺面結構利用光刻工藝定義障礙層區域，并經由鍍膜工藝及刻蝕工藝形成。

9.根據權利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，所述擴散障礙層的材料包括GaAs、AlGaAs、Ga₂O₃、Al₂O₃、AlN、BN、Si₃N₄、SiO₂、ZrO₂、BCB、PI、SiLK^TM、HSQ、MSQ、HOSP^TM、Black中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的一種修正氧化孔徑的方法，其特征在于，形成所述擴散障礙層的方法包含但不限于CVD、ALD、PECVD、MOCVD、Sputtering、Spin-Coating。