[發明專利]一種改善光刻膠與晶圓粘附性的方法在審
| 申請號： | 202110048723.9 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112698553A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 馬陽陽;張東宏;李寶軍 | 申請（專利權）人： | 陜西彩虹新材料有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/38 | 分類號： | G03F7/38;G03F7/40;G03F7/30;G03F7/20;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京卓特專利代理事務所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 712021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 光刻 粘附 方法 | ||
1.一種改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于：包括對超純水清洗后對晶圓進行預烘烤，對光刻膠樣品進行水浴放置以及在涂覆光刻膠前，設定程序預先手動噴霧光刻膠對應的溶劑溶液，然后吸取一定量光刻膠對烘烤后的晶圓進行涂覆；
對涂覆有光刻膠的晶圓進行曝光處理；對曝光后的晶圓進行曝光后烘烤；對曝光后烘烤的晶圓進行室溫冷卻處理；最后對晶圓進行顯影。
2.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于：水浴放置是將涂覆光刻膠樣品之前在23℃的水浴鍋放置。
3.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于：噴霧所用的光刻膠對應的溶劑溶液為丙二醇甲醚醋酸酯溶液。
4.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于:對晶圓進行預烘烤，設置預烘烤溫度為100－120℃，烘烤時間為10min－20min。
5.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于：在對晶圓進行烘烤后，在對烘烤后的晶圓涂覆光刻膠之前，須將所述晶圓冷卻至23℃。
6.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于:對涂覆光刻膠后的晶圓進行曝光處理前，須使用90－110℃的溫度對晶圓進行曝光前烘烤處理，烘烤時間為2mim－3min。
7.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于:對曝光后的晶圓進行曝光后烘烤，須使用90－110℃的溫度對晶圓進行曝光后烘烤處理，烘烤時間為60－180s。
8.根據權利要求1所述的改善光刻膠與晶圓粘附性的方法，其特征在于:對曝光后烘的晶圓進行室溫冷卻，冷卻時間為10－30min。
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