[發明專利]高電子遷移率晶體管外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 202110048325.7 | 申請日： | 2021-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN112928162B | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發明（設計）人： | 胡加輝;蘇晨;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 遷移率 晶體管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的第一復合層、第二復合層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層與GaN蓋層，所述第一復合層包括交替層疊的AlN子層與第一GaN子層，所述第二復合層包括交替層疊的InAlGaN子層與第二GaN子層，所述襯底為碳化硅襯底、藍寶石襯底或單晶硅襯底。
2.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述AlN子層的厚度為5～20nm，所述第一GaN子層的厚度為5～20nm，所述InAlGaN子層的厚度為10～30nm，所述第二GaN子層的厚度為10～30nm。
3.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片還包括緩沖GaN層，所述緩沖GaN層位于所述第二復合層與所述GaN溝道層之間。
4.根據權利要求3所述的高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述緩沖GaN層的厚度為1um～3um。
5.根據權利要求3所述的高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述緩沖GaN層內摻有CCl4。
6.根據權利要求1～5任一項所述的高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片還包括AlN插入層，所述AlN插入層位于所述AlGaN勢壘層與所述GaN蓋層之間。
7.根據權利要求6所述的高電子遷移率晶體管外延片，其特征在于，所述AlN插入層的厚度為0.5nm～2nm。
8.一種高電子遷移率晶體管外延片的制備方法，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片的制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長第一復合層、第二復合層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層與GaN蓋層，所述第一復合層包括交替層疊的AlN子層與第一GaN子層，所述第二復合層包括交替層疊的InAlGaN子層與第二GaN子層，所述襯底為碳化硅襯底、藍寶石襯底或單晶硅襯底。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管外延片的制備方法還包括：
在所述第二復合層與所述GaN溝道層之間生長緩沖GaN層，且在所述緩沖GaN層的生長過程中，所述緩沖GaN層的生長溫度逐漸升高。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述緩沖GaN層的最高生長溫度與所述緩沖GaN層的最低生長溫度之差為10℃～80℃。
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