[發明專利]半導體裝置的制造方法與蝕刻溶液

在審

• 申請號: 202110048003.2
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN113140509A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 連建洲;林群能;陳玠瑋;江子昂;葉明熙
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;C09K13/00;C09K13/04;C09K13/06
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

1.一種半導體裝置的制造方法，包括：

形成一p型金屬功函數層于一介電層上；以及

施加一濕蝕刻溶液至該p型金屬功函數層，以移除該p型金屬功函數層的一部分，且該濕蝕刻溶液包括：

一金屬蝕刻劑；

一抑制劑，用于該介電層；以及

一溶劑。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該介電層為氧化鉿。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該抑制劑為磷酸。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該抑制劑為羧酸。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該抑制劑為胺基酸。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中該抑制劑包括羥基。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，還包括在露出該介電層之后，形成一保護層于該介電層的露出表面上。

8.一種半導體裝置的制造方法，包括：

沉積一第一p型功函數層于一高介電常數的介電層上；以及

采用一濕蝕刻溶液蝕刻該第一p型功函數層，以露出該高介電常數的介電層的第一部分，其中該高介電常數的介電層與該濕蝕刻溶液反應以形成一保護層于該高介電常數的介電層上。

9.一種蝕刻溶液，包括：

一溶劑；

一第一金屬蝕刻劑；

一氧化劑；以及

一抑制劑，其包含磷酸、羧酸、或胺基酸的一或多者。

10.如權利要求9所述的蝕刻溶液，其中該蝕刻溶液對氮化鈦與對氧化鉿之間的選擇性為至少100:1。