[發明專利]SiOCN薄膜的形成

在審

• 申請號: 202110047963.7
• 申請日: 2021-01-14
• 公開（公告）號: CN113140444A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: V·沙爾瑪
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 張全信

1.一種利用包含至少一個沉積循環的循環氣相沉積工藝在反應空間中的襯底上形成含硅薄膜的方法，所述至少一個沉積循環包含：

使所述襯底與包含鹵代硅烷的氣相硅前體接觸；

使所述襯底與胺反應物接觸；以及

使所述襯底與酰基鹵或羧酸反應物接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個沉積循環按次序包含：

使所述襯底與所述酰基鹵或羧酸反應物接觸；

使所述襯底與所述胺反應物接觸；以及

使所述襯底與包含鹵代硅烷的所述氣相硅前體接觸。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個沉積循環按次序包含：

使所述襯底與包含鹵代硅烷的所述氣相硅前體接觸；

使所述襯底與所述胺反應物接觸；以及

使所述襯底與所述酰基鹵或羧酸反應物接觸。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個沉積循環按次序包含：

使所述襯底與包含鹵代硅烷的所述氣相硅前體接觸；

使所述襯底與所述酰基鹵或羧酸反應物接觸；以及

使所述襯底與所述胺反應物接觸。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個沉積循環另外包含使所述襯底與第二種胺反應物接觸。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅反應物具有式Si_nX_2n+2，其中X是鹵素并且n是1到4的整數。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅反應物包含烷基鹵代硅烷或八氯三硅烷。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述酰基鹵反應物包含反丁烯二酰氯、丙二酰氯、丁二酰氯、均苯三甲酰氯、戊二酰氯、己二酰二氯或鄰苯二甲酰氯。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述羧酸反應物包含1,3二酸、己二酸或對苯二甲酸。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述胺反應物包含乙二胺、苯二胺、丁二胺、二氨基己烷、二氨基丙烷，或丙三胺。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個沉積循環另外包含使所述襯底與氫反應物接觸。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述至少一個沉積循環按次序包含：

使所述襯底與包含鹵代硅烷的所述氣相硅前體接觸；

使所述襯底與所述氫反應物接觸；

使所述襯底與所述酰基鹵或羧酸反應物接觸；以及

使所述襯底與所述胺反應物接觸。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述氫反應物包含NH₃、N₂H₂、任何烷基取代的肼或氮族元素氫化物。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個沉積循環包含使所述襯底與所述硅前體、所述胺反應物和所述酰基鹵反應物在低于300℃的溫度下交替并且依序接觸。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述含硅薄膜包含約3至約30at％的氮和約3至約30at％的碳。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述含硅薄膜在稀HF中具有大于約30納米/分鐘的濕式蝕刻速率。

17.根據權利要求14所述的方法，其中所述含硅薄膜具有小于約5的k值。